台积电突破2纳米工艺，有望2024年量产，1纳米制程也已提上日程

在甩开三星之后，台积电作为世界第一芯片代工厂，在新工艺的道路上一路狂奔，7nm工艺全面铺开，5nm工艺一骑绝尘，如今3nm已经箭在弦上，甚至2nm工艺也获得了重大突破。

据最新报道显示，台积电已经在2nm制程工艺上取得了一项重大的技术突破，虽然报道没有披露详细细节，但据估计，2nm工艺有望在2023年下半年进行试产，量产可能在2024年实现。

台积电方面表示，2nm工艺上的突破将进一步拉大自己与竞对的技术差距，同时摩尔定律也得以延续，台积电将继续加大对1nm工艺的研究。

台积电预计，苹果、英伟达、高通、AMD等客户有望率先采用2nm制程工艺芯片。

据悉，在2nm工艺上，台积电将不得不放弃使用多年的FinFET，也不会采用三星3nm工艺的GAAFET技术，而是转而采用MBCFET，即纳米片。

CAAFET与MBCFET，从纳米线到纳米片，可以简单当做技术从二维转向三维，能够大大优化电路控制方式，降低漏电能耗。

不过，可以预见的是，新工艺的成本会是一个天文数字，三星在5nm工艺上已经投入的经费超过4.8亿美元，3nm的GAAFET技术更会投入远超5亿美元。

台积电很少在工艺普及前公布研发投入的费用，不过大家不妨可以尽量去想象一下。

电科技专注于TMT领域报道，青云计划、百+计划获得者。荣获2013搜狐最佳行业自媒体人称号、2015中国新媒体创业大赛总决赛季军、2018百度动态年度实力红人等诸多大奖。

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