三星将投资70亿美元扩张西安NAND闪存芯片产能

　　 【环球科技综合报道 记者 李小飞】 韩联社8月28日报道称，三星电子28日表示，已着手在今后3年向西安投资70亿美元，扩建三星(中国)半导体有限公司NAND闪存生产线。

2014年5月9日投产的西安三星半导体工厂(韩联社/三星电子提供)

报道说，西安半导体生产线于2014年建成，目前开工率100%，扩张产能布局中国有助于在全球最大NAND闪存市场应付日益增长的中长期需求。

据了解，新建生产线全部用于制造垂直闪存(V-NAND)。