IBM和三星芯片新架构：性能提升两倍，功耗下降85%

12月15日，IBM 透露它和三星的合作在半导体设计上取得了“突破”，提出了一种全新芯片制造工艺 VTFET。

VTFET，即垂直传输场效应晶体管，旨在取代当前用于当今一些最先进芯片的 FinFET （鳍式场效应晶体管）技术，并能够让芯片上的晶体管分布更加密集。相比 FinFET，VTFET能让晶体管使用更大的电流，同时减少了能源浪费，可以有两倍性能提升，或者减少85%能耗。

（via IBM）