科技猎高通力挺台积电FinFET工艺：三星尴尬癌犯了
高通、三星已经率先进入10nm工艺节点，接下来会是7nm，前者的首发产品有望是骁龙845。
关于骁龙845的7nm代工问题，一直传闻不断，但总结下来无非台积电和三星两种。
据Digitimes报道，高通授权业务的高级副总裁Sudeepto Roy最近到访台湾接受采访时指出，将和台积电扩大代工合作。
他表示，从2006年的65nm开始，高通开始和台积电建立商业伙伴关系，后来的45nm、28nm也都非常成功。他表示，未来，高通还会有大量的芯片订单给到TSMC，用上后者的FinFET工艺。
这番言论随即引发外界联想，一是高通骁龙芯片的7nm FinFET确定给了台积电，二是至少基带（BP）部分已经被台积电拿到，至于AP（应用处理器）则依然面临三星的竞争。
如果第一种坐实，那么三星无疑是尴尬的。连续为高通代工了成功的14nm骁龙820/821和10nm骁龙835却被抛弃，而且Galaxy S9还要首发……
Roy还谈到了和苹果的官司，认为他们会最终胜诉。
不过，苹果的官司中还牵涉到了富士康、仁宝、和硕、纬创等台企，且他们站在苹果这边。
高通强调，以诺基亚8为例，这款骁龙835的手机依然是富士康代工，意在强调大家都是遵守合同和有商业操守的企业，不会心存私心。
