旗舰手机存储性能测试：iPhone压倒性胜出

旗舰手机存储性能测试

每一年，我们都希望移动设备的速度有大幅提升、同时能源效率也变得更高。相信很多人都会把关注点放在更快的处理器、更多的RAM、更大的内部存储、以及更高容量的电池上，但却忽略了某些不起眼的地方——比如存储性能。

作为移动设备的“硬盘”，厂家似乎不愿多谈。但是对于较真的人们来说，热门Android手机和iPhone之间，又可以拉出多大的差距呢？外媒AnandTech特地对包括iPhone 6s Plus、三星Galaxy S7/S6/S6 edge、S5、小米Note Pro、华为P8/Mate 8/荣耀5X、LG G4、Google Nexus 5X/6P在内的十余款设备进行了磁盘性能测试。

令人惊讶的是，在内部闪存顺序读写测试中，iPhone 6s Plus均远远高于其它Android竞争对手。持续写入测试中，排名前三的分别为iPhone 6s Plus（163.20 MB/s）、三星Galaxy S7（64.49 MB/s）、以及Galaxy S6 / S6 edge（并列40.69 MB/s）。

写入测试

在顺序读取测试中，排名前三的也是这几个， 其中iPhone 6s Plus的成绩为402.35 MB/s、三星Galaxy S7为233.27MB/s、Galaxy S6/S6 edge并列208.69MB/s。

iPhone 6s之所以这么快（相较于iPhone 6），是因为苹果改变了内存的处理方式。根据AnandTech的详细所述，苹果选用了在MacBook SSD上创下惊人速度的主控，在将之改造后塞进了智能机中。

读取测试

此外， 报道还提到iPhone 6s采用了定制NAND闪存和NVMe协议，而不是UFS或传统的eMMC。iPad Pro、iPhone SE等2015款机型，也都使用了相同的存储类型。

在测试中，苹果的存储，轻松击败了搭载UFS 2.0闪存的Galaxy S6系列，即使后者已经算是相当快了。2月份的时候，三星宣布其UFS 2.0技术变得更快、容量也提升到了256GB ——顺序读取可达850MB/s、持续写入也有260MB/s。

遗憾的是，在AnandTech的测试中，该公司最新款的Galaxy S7和Galaxy Note 7都没能打破iPhone 6s创下的纪录。 在本周举办的“2016移动与物联网论坛”上，三星提到了UFS存储对于4K/8K/VR内容的意义。Cho Hee-chang预计，到2020年的时候，联网设备数量会达到500亿左右。

Galaxy S和Galaxy Note等产品上使用的UFS 2.0和UFS 2.1内置存储（其理论速度可达1.2GB/s），将于2018上半年提升至2.4GB/s。此外，三星还希望将UFS card v1.0（最新的microSD外置存储产品）的速度翻倍，从此前的600MB/s、提升到USF card v2.0的1.2GB/s。