三星2nm良率被曝提至40%，首发芯片Exynos 2600计划11月量产

4月12日消息，韩媒asiae于4月10日发布博文，消息称三星计划2025年11月量产首款采用2纳米工艺的Exynos 2600芯片。若Galaxy S26机型能顺利搭载Exynos 2600，三星有望借此展示2纳米技术实力，吸引更多客户。

IT之家援引博文介绍，新任Foundry事业部负责人韩真晚（Han Jinman）上任后取得重大进展。他上任仅四个月，便着手优化生产良率并调整经营策略，全面检视了2纳米工艺的生产线和运营模式，不仅巩固技术优势，还拓宽了市场布局。

他积极拓展三星的客户群，从北美大厂扩展至中国、印度和欧洲的设计公司，增加成熟制程订单，以降低固定成本并提升先进制程的竞争力。

Exynos 2600芯片采用Gate-All-Around（GAA）技术，相较传统FinFET工艺更先进。这种技术通过四面环绕晶体管结构，提升芯片性能并降低功耗，适合高性能芯片需求。

三星此前已率先实现3纳米GAA量产，但受限于低良率，未能扭转代工业务的亏损局面。据悉，2纳米工艺的良率已从年初的20-30%提升至40%以上，远超3纳米时期的表现。

业界认为，若Exynos 2600按计划搭载于2026年一季度发布的Galaxy S26，将为三星代工业务注入强心剂，助力吸引外部客户。

然而，三星与行业龙头台积电的差距依然明显。台积电的 2 纳米初期良率已达60%，而量产通常需良率稳定在70-80%。三星需在下半年进一步优化工艺，以缩小差距。

根据TrendForce数据，2024年第四季度，台积电市场份额达67.1%，三星仅为8.1%，首次跌至个位数。

面对挑战，韩真晚提出“技术提升”和“客户拓展”两大目标，推动代工业务转型。尽管市场曾传出三星可能退出代工的猜测，但公司明确表示将持续 投资 ，力求凭借技术整合能力成为行业标杆。

【来源： IT之家】