FinFET 寿终正寝！台积电 2nm GAA 工艺研发进度超前：落后三星一代

出处：快 科技 作者：万南

当前，最先进的芯片已经采用了 5nm 工艺（ 苹果 A14），这在另一方面也意味着，晶圆代工厂商们需要更加马不停蹄地推进制程技术的迭代。

来自 Digitimes 的最新报道称，台积电 2nm GAA 工艺研发进度提前，目前已经结束了路径探索阶段。

GAA 即环绕栅极晶体管，旨在取代走到尽头的 FinFET（鳍式场效应晶体管）。FinFET 由华人科学家胡正明团队研制，首发于 45nm，目前已经推进到 5nm。

不过，据说台积电的 3nm 依然延续 FinFET，但三星则会提前于 3nm 导入 GAA 技术。

基于全新的 GAA 晶体管结构，三星通过使用纳米片设备制造出了 MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET，多桥 - 通道场效应管），与现在的 7nm 工艺相比，3nm 工艺可将核心面积减少 45%，功耗降低 50%，性能提升 35%。

当然，落后其实并不可怕，最主要看进度。三星 7nm 也是想 " 一口吃个胖子 "，直接导入 EUV 极紫外光刻，结果起个大早赶个晚集，被台积电用 7nm DUV 抢先，自己实际并未揽获多少有价值的订单。