「钨铱电子」完成百万级天使轮融资,专注半导体热沉材料国产化替代

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钨铱电子 科技 有限公司(以下简称「钨铱电子」)近日完成数百万元天使轮融资投资 方为煜华资本,融资资金将用于加速新品研发进度、提升已量产产品交付能力。

「钨铱电子」成立于 2023 年 6 月,以半导体工艺技术为核心支撑,专注微观宏观一体化散热仿真技术及低界面热阻技术的研究和相关产品生产。公司总部位于大连,并在苏州设有研发中心、成立石家庄生产基地,形成集研发、生产、销售于一体的 IDM 模式。其自建半导体洁净厂房达 1000 平米,具备百级、干级、万级等不同功能区,属国内先进的半导体薄膜产品生产线。

「钨铱电子」完成百万级天使轮融资,专注半导体热沉材料国产化替代 工艺设备

按照产品类型,热沉片主要包括金属热沉、陶瓷热沉和金刚石热沉等几大类。其中,陶瓷热沉片作为最大的细分类型,市占率约 54%。随着近年来 5G、物联网、AI 技术等快速发展,电子产品对热沉片的需求增长迅猛,热沉制造技术的创新和提升,可以满足下游市场对散热性能越来越高的要求。

根据 QYResearch 等机构数据,全球热沉片市场过去几年呈稳步增长态势,2023 年市场规模约 3 亿美元,预计 2030 年将达到 3.7 亿美元,年复合增长率在 3.3% 至 3.4% 之间。

但长期以来,AIN(氮化铝)作为重要的热沉材料,受到日本核心粉体产业链垄断,随着应用上限的到来和竞争愈发激烈的价格战,以 SiC(碳化硅)为代表的新一代材料和热沉技术国产替代成为关键命题。

「钨铱电子」完成百万级天使轮融资,专注半导体热沉材料国产化替代 SiC 热沉

作为一家专注第三代 SiC 热沉技术研发的企业,「钨铱电子」推出有陶瓷载体、预制焊料热沉、陶瓷盖板、薄膜无源集成共四类产品序列。创始人徐会武告诉硬氪,通过使用 SiC 对 AIN 材料的直接替代,大功率器件的热阻可以降低 10% 以上。

硬氪了解到,当前业界对热沉材料国产化主要集中在两方面:一是产品性能的可替代性,包括外观、尺寸和散热能力,材料线膨胀系数或综合线膨胀系数必须和芯片接近;二是核心成本的稳定性。

徐会武解释称," 当前大部分客户可以接受 10% 成本的增加,加上器件约 10% 以上的功率提升,使用 SiC 替代材料后,企业的成本开支并不会出现大幅上涨,反而是相对稳定的。"

「钨铱电子」完成百万级天使轮融资,专注半导体热沉材料国产化替代 产品检测

具体到落地环节,「钨铱电子」一款新产品从研发到批产周期通常在 6 至 9 个月,期间包括设计、工艺开发、企业内部对样品可检测参数的测试,以及客户拿到样品后需要进行的性能测试及 500 小时以上的可靠性验证,其样品一次通过率往往在 90% 以上。

目前,「钨铱电子」已经构建从清洗、光刻、镀膜、DPC 工艺、划片到检验的全流程研发及生产车间,瞄准工业激光加工、激光显示投影、光通信等领域的头部客户,基于行业头部客户的案例和长期验证效应,带动中型客户企业的开拓和市场增长。

徐会武表示," 随着新质生产力发展和传统产业升级,包括热沉片在内,上游核心零部件需求非常旺盛。以激光显示赛道来看,海信的渗透速度非常迅猛,这种激光投影设备价格的下沉也带动销量数据的快速上涨,可以说,2024 年是激光显示投影的爆发元年。这对像我们钨铱电子这种聚焦核心散热技术的企业来说,也是一个发展的机遇。"

未来,「钨铱电子」将继续聚焦光电子细分领域,围绕切割焊接、激光显示、激光雷达、光通信等场景,基于自主知识产权和技术创新能力,加快实现第三代 SiC 热沉方案国产化替代。

来源:36氪

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