第六届中国（济南）新动能创新创业大赛先进电子新材料与应用领域专业赛决赛日程表出炉

为了全面推动济南市 科技 创新和产业转型升级，加快建设“强新优富美高”新时代社会主义现代化强省会提供坚实的人才支撑，由中共济南市委、济南市人民政府、第三代半导体产业技术创新战略联盟联合主办的“第六届中国（济南）新动能创新 创业 大赛先进电子新材料与应用领域专业赛”自启动以来，就受到产业内创业人才和项目的高度关注，经过组委会专家组的层层筛选，目前大赛决赛的19个入围名单已经出炉，并将于11月10日在济南东悦国际酒店进行最终的比拼，评选出本次活动的一、二、三等奖。

同时，为了积极为先进电子新材料与应用领域创业者搭建一个可以充分展示交流、投融资对接、创业创新政策推介的平台，在本次大赛开幕式上，组委会还将邀请多名产业专家以及龙头企业相关负责人做产业发展的主旨报告，为参加活动的创业项目和人才进行产业市场的干货分享。

大赛开幕式议程：

本次大赛以“创新创业·筑梦泉城”为主题，活动共计吸引近70个全国各地优秀的先进电子材料类的创业项目报名参赛。决赛将邀请 投资 机构、龙头企业、技术专业领域、知名高校等专业、重磅的嘉宾组成的评审团，围绕大赛的评审规则为入围项目现场打分，决赛现场采用“10+5”（10分钟路演陈述+5分钟评委提问）模式进行现场路演答辩，决赛将在11月10日下午和11月11日上午分两场举行。

决赛入围项目介绍

1.脑控机械手在脑中风中的应用：专注于脑机接口领域,以脑电感知控制技术为核心技术的公司,基于这项技术,我们落地的一些 智能硬件 和穿戴硬件,通过大量的推广智能硬件,我们不断的采集用户的数据，后台不断的运营个人的生活空间。我们打造一个开放的脑电应用平台，运用这个脑电平台来辅能其他的行业。脑控机械手：以脑控机械手解决脑中风患者的生活各种任务，方法是用新颖的传感和机器学习技术，通过无创神经成像和一种新的连续追踪范式，克服了嘈杂的脑电图信号，显著改善基于脑电图的神经解码，从而实现实时连续的机器人设备控制。

2.电子元器件的激光焊接精准温控系统产业化：随着电子器件微型化发展，如何保障焊接的质量是微电子产业的重要技术支撑。项目通过建立焊接工艺参数数据库并设计焊接质量控制算法，实现激光焊接设备的智能控制，与同行业产品相比处于遥遥领先的地位。项目已开发自主知识产权的智能温控激光软钎焊设备，打造光电子器件加工与组装生产线，在国内率先实现激光非接触精密电子加工的恒温控制，满足物联网、人工智能和无人驾驶等微电子集成电路的迫切需求，计划进一步占领市场。

3.半导体抛光材料：碳化硅，氮化镓等半导体材料晶圆的制备加工工序中，对晶圆材料的平坦化，高精度，表面粗糙度进行抛光加工的抛光材料。

4.深紫外LED芯片及光导纤维光触媒产业化：深紫外LED代替汞灯是未来的发展趋势，在医疗、消毒、净化等领域有广泛的应用前景。我司拥有两大核心技术：深紫外LED 芯片技术和光导纤维光触媒技术；深紫外LED芯片实验室光电转换效率达到8%，产业化达到了5%，居于国内领先行列，与日韩芯片相当。拥有公司核心专利的光导纤维光触媒技术，在生长工艺有重大创新，与紫外LED结合，在消杀细菌、净化有机物等方面展现高效率和高环保型，对未来提供人们生活品质具有重要意义。公司目前已导入宇通、江铃、奇瑞等车企头部企业和牧原等畜牧业头部企业，且在合成革产业中取得重大技术突破，解决了困扰合成革企业的痛点、难点问题，公司正在打造面向全球的消毒净化的解决方案和制造基地。

5.新一代车规级功率半导体研发和产业化：本项目是由来自ADI、联合电子、DENSO、台积电、世界先进、强茂等世界级的功率半导体专家联合创办，目标是打造世界级的车规级功率半导体IDM供应商。业务覆盖Si/SiC/GaN基的模块、芯片、新材料和晶圆设计和制造。目前已经完成世界级的IGBT和SiC模块和器件，SiC-SBD器件和RC-IGBT芯片设计。其中两款高功率IGBT产品性能全面超越国际一流水平，已经进入小批量验证阶段，并由多款适配国内外车型的SiC和IGBT产品定制化研发中。项目预期2026年实现年产值50亿元。

6.铝固态电池技术: 技术方案首先是电池工作时降低正负极片的电流值，解决电池的发热问题，传统新能源 汽车 电池内部电池电芯直接串联，电池内部正负极芯很容易被高电压金属离子热流所破坏、电池性能及寿命下降均来源于高温热离子流！其次改变电池的极性，通过电池电芯正负极穿插另外一个电芯的正极作为电解质控制晶枝的成晶方向，改变传统电池正负极之间直接放一层隔膜的技术方案，充电电压、电流较低，很难实现电池快充。再次，固态电解质与正负极之间界面采用导电活性剂组分解决阻抗过高难题，提升金属离子固态电池固态电解质导电率。最后，成本问题。像钠、铝、锌等金属相比锂金属，成本就非常低，做出来的电池就非常亲民。

7.超宽禁带半导体氧化镓材料及其功率器件：计划进入高温、高功率电子领域，提供创新的解决方案。我们的产品和服务将基于氧化镓材料的优越特性，并应用于能源转换、电力电子和智能电力系统等领域。我们致力于实现产品的 商业 化，并在市场中取得竞争优势。

8.氮化镓单晶衬底及设备产业化项目：实现第三代半导体高性能器件产业化和规模化应用的关键是要获得价格合理的低缺陷密度GaN晶体基片。本项目南京大学技术团队所拥有的高技术和低成本优势在国内外是独一无二的，技术领先、工艺成熟，已经具备大规模量产的条件。本项目旨在开发大尺寸GaN衬底的批量生产技术，在3年内实现低成本高质量GaN衬底的规模化生产，达到年产20万片以上TIE-GaN的规模。本项目长远目标是建成世界最大规模的氮化镓衬底生产基地，提供GaN衬底以及集成GaN基光电子和微电子器件的晶片等，用于满足中国乃至全世界在全固态照明、短波长激光器等信息技术的发展和功率电子器件等应用领域的需求。

9.基于MPCVD技术的金刚石晶体材料制备：本项目自主研制“微波等离子体化学气相沉积设备(MPCVD)”，用其制备高品质人造金刚石晶体材料，包括大尺寸金刚石单晶和金刚石多晶薄膜。主要作为半导体材料、光学窗口材料、热沉材料、钻石毛坯等材料，应用于半导体、量子计算、军工航天、大科学装置、精密加工、钻石首饰等领域。该项目致力于突破国外在大功率MPCVD设备方面的技术封锁，解决功能性金刚石领域的“卡脖子”问题。本项目将不断升级完善大功率MPCVD设备，在功能性金刚石材料的制备和应用领域进行不断地研发和探索，保持技术优势，把握市场，提前布局金刚石超宽禁带半导体材料，将本项目打造成为国际知名的功能性金刚石材料生产商。

10.芯片可靠性应用验证综合评测项目：是一家集成电路检测设备研发和生产、检测解决方案咨询、检测服务和芯片评测为一体的综合技术服务提供商，面向宇航、军工、汽车级、工业级等行业客户提供服务，具备异构多参数集成电路检测设备敏捷开发、软硬一体化全流程验证仿真模拟平台、多上位机阵列辅助开发验证等多项芯片检测验证领域核心开发技术。公司成立以来已服务航空、航天、船舶、汽车等高可靠性要求的领域客户50余家，检测集成电路型号2000余种，覆盖95%以上元器件品类，构建标准化、通用化，自动化、信息化，一站化应用验证能力，为我国芯片国产化替代进程贡献力量。

11.SERDES IP与CXL芯片项目：项目创始团队成员包括三星AMD实验室顶尖芯片架构专家、IEEE预备院士、前Intel首席科学家等，平均从业时间20年以上。团队目前已有自主IP20余项、在申报发明专利2项、预备申报发明专利10余项；团队具备先进制程经验（3nm GAA~110nm），先进SERDES IP设计经验、数十颗芯片从设计至流片经验。已攻克国内首个验证可用的RAID方案、国内首个CXL IP合作案例、国内首颗自主红外ISP芯片案例、国内首颗自主USB3.2HUB芯片案例等，是国内唯三可进行SERDES IP定制化的企业。截止目前，公司营业收入数百万元，已达成合同超2000万元，正在进行天使轮融资及项目落地工作。

12.Micro-TEC半导体制冷片产业化项目：微型半导体制冷片Micro- TEC以其独特的优势和特点被广泛应用于航天、军工、红外、工业、通信、电力、消费等诸多领域。 微型半导体制冷片Micro TEC可以实现0.01℃以内的主动温度控制，是目前光通讯器件/模块中实现精确温度控制的唯一核心关键核心部件。

微型半导体制冷片Micro -TEC的厂家，主要为国外厂家，如杭州大和、日本小松、美国Phononic公司、俄罗斯RMT公司等等，占据中国75%以上的市场份额，且限制对中国企业销售核心的热电材料，国内没有可以与之竞争的厂家。

13.基于PXGPU的超低功耗AOD-DDIC："我们提出了全球独创的解决方案来延长 手机 低电量时的续航时间

·发明了全新计算架构GPU(PXGPU)，颠覆已沿用30多年的传统GPU架构(基于帧缓存、流水线架构); 在空间维度/时间维度上实现了不同图层图元/不同区域图元渲染的并行执行，实现了全球首创的无帧缓存、非流水线GPU架构，大幅降低GPU渲染、显示带宽及功耗。

·基于PXGPU，实现了全球独创的解决方案AOD-DDIC芯片及全新的低功耗AOD交互模式，延长手机低电量时的续航时间。

·延长电话信息时间2倍, 延长刷码支付时间5倍,延长导航时间5倍。

适用于所有手机平台,市场规模巨大。"

14.HS-MCM碳化硅超高温技术平台：公司由五位清华大学电子系98级同班同学创立，前期已经过数轮上亿元的融资，拥有自身的6英寸碳化硅芯片产线和电源厚膜工艺产线。公司致力于第三代半导体碳化硅芯片、模块与系统，团队成员在海外有16年以上的高温电源经验。项目从特殊行业(石油、军工、航天)、特殊产品(基于碳化硅芯片的超高温、小型化特种电源)，特殊技术(HS-MCM异基底-混合集成芯片模组)切入，研发的230+℃超高温特种开关电源已广泛应用在国内石油井下勘探，超高温特种电源领域填补了国产空白，并将技术原理复用到军工、航天、电动汽车、光伏储能等行业，为了实现这种极致碳化硅高温系统，芯片也是公司特殊设计并在自己的芯片产线上流片。

15.全国产化射频通信芯片研发及产业化：受国外芯片卡脖子限制，我国急需高端芯片填补空白，国外技术封锁以及光刻机的断供使得高性能电子通讯芯片突破十分困难，因此对于高性能光电融合通讯芯芯片来取代甚至超越纯电子芯片就显得十分重要。我们团队全自主设计生产的高性能光电融合通讯芯片，具有光电集成、高速通讯、多波段切换，并单个芯片集成，可实现高性能通讯。光电融合通讯芯片可产生相位噪声极低的高频微波信号，在军民领域均具有重要的应用，市场规模巨大，可成为第四次工业革命的把关者。

16.自主可控的通用、智能、精密、 集成化工业底层控制系统：公司在十几年内建立了硬件、软件完全独立自主的知识产权的核心技术体系。核心技术全面覆盖从检测、工具应用到生产的所有环节，可应用在智能检测、智能工业生产线、高精度机床、工业机器人、高精密仪器、精密测量运动平台新能源汽车等工业领域。所有产品均已自我验证，国内外均未有同类体系。精密智能化集成底层工业控制系统是完全自主体系下独立研发完成的新的工业控制体系，并兼容现有PLC及PC控制体系。其实质为非PLC控制体系，也非基于PC的控制体系是独立的新的工业底层控制体系（仍兼容PLC、PC体系）是基于新控制理论的国内外最优化控制。 可形成国际国内新技术标准、自主安全可控。

17.高可靠高性能自主可控电源管理芯片V9.0：专注宇航及军工领域高可靠高性能自主可控电源管理芯片，致力于为航天、军工、工业等领域客户提供自主可控模拟芯片。核心团队由北京大学、中科院、电子科大等优秀校友组成，深耕高可靠集成电路领域近二十年，在研发、产业化及产业链有深厚经验，曾获得国赛金奖、多项人才计划A类等荣誉，多款产品在我军装备上得到大批量产业化应用，目前20款可批量化供货，10款在研，2022年通过7至9款宇航级产品满足85%以上卫星及飞行器电源管理需求，并成为航天五院、电科集团、国网智芯等一级或合格供方。2022年团队同步依托现有技术、产品及企业优势，拓展工业控制、汽车电子等物联网、新基建需求万亿级市场

18.全球领先危险探测技术—解决方案提供商：我们是一家以纳米传感器技术为核心的产品技术服务提供商，我们的团队研发纳米传感器领域20年，发明了一种小巧并灵敏度极高的传感器装置，并全球领先，目前我们已经完成了一代二代产品的订单交付，三代产品形态和功能和以往不同，我们把我们的传感器技术与世界领先的机器人技术相结合，制造出了拥有危险探测能力的智能装备，探测领域主要是爆炸物和毒品，受到海外多国政府和客户的喜爱，目前签署了将近2个多亿的海外预订单，2023年我们准备进入中国市场，希望能在中国完成我们现有订单的产业化生产，以及开展国际化的产学研合作。

19.氮化物外延片/芯片供应商：作为北京大学科技成果转化、解决我国第三代半导体核心材料及器件技术问题的重点项目，致力于为国家和北京市第三代半导体产业发展做贡献的示范企业。一期投资1.35亿元，开发和生产氮化镓基功率电子器件用大尺寸外延片（应用于移动通讯基站、大数据中心电源、消费类电子等领域）和高性能AlGaN基UVC-LED外延片和芯片产品（应用于消毒杀菌、水和空气净化、印刷、农业及医疗等领域）。中博芯多个产品性能指标达到国内领先、国际先进的水平，部分产品性能指标达到国际领先水平；产品已销售至海外。预期满产后主营业务收入2亿元/年，利润5000万元/年。

此外，本届大赛过程中特别强化交流互鉴，大赛瞄准了我国战略性新兴产业——先进电子新材料与应用领域，根据济南当地的产业生态为参赛者搭建创新创业平台，并邀请各地的优秀创业者参加，让优秀的项目和人才聚焦济南，并充分宣传济南在科技创新领域的人才政策和创新创业环境，让科技人才在交流中增进对济南产业生态的理解，促进政、企、金、研、学等多方面的交流互鉴，相互启迪，激发创新火花。