手机存储的新未来！新一代UFS 3.1 西部数据iNAND MC EU551嵌入式闪存器件

手机 之家

随着5G时代来临，智能手机从外在形态到内部配置均有改变。其中，外观变化最明显的是全面屏，而配置的变化除处理器外，以存储和内存最具代表性——2019年开始，UFS 3.0逐渐被旗舰机采用，到2020年搭载LPDDR5内存则成为趋势，2021年，LPDDR5+UFS 3.1已经成了旗舰机的内置存储标配。

要说起今年旗舰机尤其是5G手机最火的“标准配置”之一是什么，那么UFS 3.1一定占得一席。

毋庸置疑，硬件升级能够显著改善使用体验，只不过相比处理器、基带、摄像头而言，用户对于存储更新带来的体验变化或许没有那么“敏感”，这是不是意味着存储的重要性不如其它硬件？当然不是。

8月，西部数据发布了全新的移动存储产品——西部数据iNAND MC EU551嵌入式闪存器件，可以说这款新存储产品要容量有容量、要性能有性能，相信在日后的旗舰手机中，一定会经常见到它的身影。

简单了解一下西部数据iNAND MC EU551嵌入式闪存器件相关信息——

容量从128GB至512GB，在手机内部空间寸土寸金的今天，该颗粒封装尺寸仅为11.5×13×1mm，为手机OEM厂商提供了更大的设计空间。

支持UFS 3.1 Gear 4/2 通道，在iNAND SmartSLC Gen6智能缓存加速技术支持下，性能强悍，最高顺序写入高达 1550MB/s。相比上一代产品，随机读取性能提升约100% ，随机写入性能提升约40%。

另外，还有Write Booster技术、Host Performance Booster 2.0技术以及写入寿命优化技术加持，让这颗存储颗粒看上去异常强悍。

西部数据这款iNAND 系列移动存储产品并非一味追求大容量，而是保证够用容量的前提下，在性能表现上丝毫不妥协。

同时西部数据iNAND MC EU551嵌入式闪存器件还严格遵守了关于JEDEC标准三项重要指标，分别是：

Write Booster：SLC非易失性缓存，可提高写入速度。

DeepSleep：一种新的UFS设备低功耗状态，目标是与其他功能共享UFS稳压器的低成本系统。

性能限制通知：当存储性能因高温而被限制时，UFS设备可以通知主机。

手机存储对于5G时代下的手机来说，更容易感知到的就是在实际操作中，这些优势主要体现在多任务执行响应速度更快、玩 游戏 的延迟更低画面更流畅、照片写入时间更短和带来更佳的省电效果等方面。

手机越用越卡的核心原因是长时间频繁使用闪存，导致闪存硬件性能下滑，反应的最后结果是闪存读写性能下滑。针对手机越用越卡的情况，西部数据iNAND MC EU551嵌入式闪存器件也有一定优势，其内部的HPB性能提升系统利用手机RAM来缓解闪存的硬件压力，提升性能，解决闪存长时间时候后性能衰减的问题，解决手机越用越卡的问题。

对于更依赖随机读写操作的手机设备来说，HPB功能可以显著提高使用体验。

在西部数据iNAND MC EU551嵌入式闪存器件发布会上，西部数据公司产品市场部高级产品市场经理宋学红表示，全新发布的iNAND MC EU551嵌入式闪存产品已经送测多家设备厂商，未来也会根据客户的实际需求进行量产。

西部数据公司中国区智能终端产品事业部高级销售总监文芳女士；

西部数据公司产品市场部高级产品市场经理宋学红先生

西部数据公司中国区智能终端产品事业部高级销售总监文芳女士在最后也表示：“只有存储设备的性能不断发展，才能更好地满足网速提升带来的改变，如果单纯的网速提升，而手机存储设备没办法跟上的话，那就谈不上更好更快的体验了。”

西部数据iNAND MC EU551嵌入式闪存器件是iNAND系列产品的新成员，十多年来，该系列产品一直深受全球主要智能手机制造商的信任。西部数据持续深耕移动生态系统领域，与领先的SoC系统设计人员合作，在智能手机的参考设计中验证其UFS 3.1解决方案，从而为制造商提供经过测试的解决方案。西部数据iNAND MC EU551 UFS 3.1嵌入式闪存器件样品现已开始供货。容量版本有128GB、256GB和512GB三种类型。

相信未来使用手机的过程中，每次的开关机，打开APP、照相等功能的时候，都需要底层存储芯片的快速响应，考验的是存储的顺序读写能力，而西部数据凭借先进的存储技术，结合技术生态系统的深入融合以及跟客户的紧密合作，将持续突破创新边界，提供更优质、更领先的存储技术和解决方案，西部数据iNAND MC EU551 UFS 3.1嵌入式闪存器件的强大顺序读取性能，能能够轻松满足这部分需求，进一步帮助用户探索数据无限的可能性。