英伟达黄仁勋期待三星 HBM3E 12H 表现,在展台上留下亲笔签名

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3 月 23 日消息,三星电子美国分公司负责人韩进万(Han Jin-man)近日发布 LinkedIn 动态,分享了两张图片,英伟达首席执行官黄仁勋参观三星 GTC 2024 展台时,在 HBM3E 12H 上留下了亲笔签名。

英伟达黄仁勋期待三星 HBM3E 12H 表现,在展台上留下亲笔签名

图源:韩进万LinkedIn动态

黄仁勋在宣传“HBM3E 12H”产品卡片上,亲笔签下了“ JENSEN APPROVED ”的字样。三星的 HBM3E 12H 是业界首款 12 层堆叠产品,英伟达目前正在对该产品进行验证测试。

而在该照片发布之前,黄仁勋在吹风会中表示:“三星是一家非常非常优秀的公司,英伟达已经开始验证三星的 HBM 内存芯片,并考虑在未来下单采购”。

韩进万还在 社交 媒体 上分享了一张照片,展示了黄仁勋在参观三星展台后和三星工作人员的合影照片。

英伟达黄仁勋期待三星 HBM3E 12H 表现,在展台上留下亲笔签名

图源:韩进万LinkedIn动态

黄仁勋并未正面表达亲笔签名的态度和确切含义,但业界猜测这反映了他对 HBM3E 的高度期望。

黄仁勋将 HBM 称为“技术奇迹”(technological miracle),相比较传统 DRAM,不仅可以提高数据中心的性能,功耗方面明显更低。

IT之家此前报道,三星 HBM3E 12H 支持全天候最高带宽达 1280GB/s,产品容量也达到了 36GB。相比三星 8 层堆叠的 HBM3 8H,HBM3E 12H 在带宽和容量上提升超过 50%。

据介绍,HBM3E 12H 采用了热压非导电薄膜(TC NCF)技术,使得 12 层和 8 层堆叠产品的高度保持一致,以满足当前 HBM 封装的要求。

英伟达黄仁勋期待三星 HBM3E 12H 表现,在展台上留下亲笔签名

因为行业正在寻找缓解薄片带来的芯片弯曲问题,这项技术将在更高的堆叠中带来更多益处。三星一直在努力降低其非导电薄膜(NCF)材料的厚度,并实现芯片之间的间隙最小化至 7 微米(µm),同时消除了层与层之间的空隙。

这些努力使其 HBM3E 12H 产品的垂直密度比其 HBM3 8H 产品提高了 20% 以上。

【来源: IT之家】

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