三星 FinFET 工艺被判侵犯专利权，需赔偿 4 亿美金

三星这两年把半导体代工业务作为重点来抓，今年率先推出了 7nm EUV 工艺，抢在了台积电、GlobalFoundries 及英特尔前面。如今这几家半导体制造公司都要依赖 FinFET 晶体管工艺，除了英特尔之外，三星是最早进入 FinFET 工艺的厂商之一，但是他们的 FinFET 工艺也惹上了麻烦，上周末被美国法院判决侵犯了韩国科学技术院的专利，需要赔偿 4 亿美元，三星表示不服。

三星与韩国科学技术院（KAIST）在 FinFET 工艺上的争论由来已久，KAIST 在诉讼中表示当时还在 KAIST 工作的教授 Lee Jong-ho 在 2001 年向三星展示过 FinFET 技术，三星起初对 FinFET 工艺并不上心，但是后来看到英特尔的 FinFET 量产之后也加快了 FinFET 工艺开发，三星使用了 Lee Jong-ho 教授的 FinFET 工艺为基础改进 FinFET 工艺，最终在 2011 年推出了跟 Lee Jong-ho 教授研发的 FinFET 工艺相近的 FinFET 技术。

KAIST 就这样跟三星结下了梁子，2016 年 KAIST 在美国德州的知识产权局起诉了三星，宣称三星的 FinFET 工艺侵犯了他们的专利权。三星回应称他们是跟 KAIST 合作开发的 FinFET 工艺，并质疑后者的 FinFET 专利有效性，不过陪审团没有认可三星的辩护，最终在上周判决三星侵犯 KAIST 的 FinFET 专利权成立，需要赔偿 KAIST 大概 4 亿美元。

陪审团认为三星侵权是 " 故意的 "，所以这个 4 亿美元的赔偿还不是最终的，有可能被重罚到 12 亿美元。

三星这边对判决表示不服，表示将会考虑所有可能的选择来获得合理的结果，包括上诉。

此外，这起侵权案中还涉及到了高通及 GlobalFoundries，他们也被判侵权成立，不过法院没有要求他们赔偿任何损失。

【来源：超能网】