研究人员在自旋电子器件制造工艺方面获新突破

据 科技 日报3月24日报道，美国明尼苏达双城大学研究人员和国家标准与技术研究院(NIST)的联合团队开发了一种制造自旋电子器件的突破性工艺，该工艺有可能成为半导体芯片新的行业标准。研究论文发表在最近的《先进功能材料》上。

自旋电子学对于构建具有新功能的微电子设备来说非常重要。自旋电子设备利用电子的自旋而不是电荷来存储数据，为传统的基于晶体管的芯片提供了一种有前途且更有效的替代方案。这些材料还具有非易失性的潜力，这意味着它们需要更少的能量，并且即使在移除电源后也可存储内存和执行计算。

明尼苏达大学研究人员通过使用铁钯材料替代钴铁硼，可将材料缩小到5纳米的尺寸，从而克服了这一难题。而且，研究人员首次能够使用支持8英寸晶圆的多室超高真空溅射系统在硅晶圆上生长铁钯。

该论文的第一作者、明尼苏达大学电气与计算机工程系的博士生Deyuan Lyu说:“这项工作在世界上首次表明，可以在半导体行业兼容的基板上生长这种材料，它可以缩小到小于5纳米，所谓的CMOS+X策略。”

【来源： 集微网 】