三星芯片或直接升至3mm工艺 以和台积电竞争

来源：新浪VR

据外媒报道，近日三星更新了他们的芯片工艺线路图，其中三星在芯片工艺上将会跳过4nm制程工艺，直接从5nm制程工艺提升至3nm制程工艺。三星这样的计划，主要是为了能够与行业前列的台积电进行竞争。

台积电近几年一直走在行业前列，除了7nm和5nm工艺都是率先量产，他们还获得了大量的其他企业的代工合同。三星现在直接进行3nm工艺研发，就是为了缩小与台积电的差距，甚至实现超越。

而台积电的3nm工艺，在公司创始人张忠谋退休前就已开始谋划，在他退休前8个月的一次采访中，就谈到3nm工厂，当时他透露采用3nm工艺的芯片制造工厂计划在2022年建成，保守估计建成时可能会花费150亿美元，最终可能会达到200亿美元。

按照5月份时候的计划，三星将会从8月份开始批量生产5nm Exynos芯片，同时他们还会继续改进已经推出的7nm芯片Exynos 990。

消息人士透露，三星已经完成了基于5nm EUV工艺的下一代Exynos SoC批量生产所需的所有准备工作。三星的芯片部门还在等待，等待有关是否要用在Galaxy Note 20系列中的决定。

另外，三星从今年2月份开始就已经在批量生产用于移动设备的16GB LPDDR5 DRAM芯片。这些芯片已经用在了三星Galaxy S20 Ultra 5G版身上。近期，三星增加了这款芯片的产量，因此有理由相信将会运用在三星Galaxy Note20系列身上。