高通5100平台认证！佰维推出高端智能手表存储芯片ePOP

智能穿戴设备不断向 多功能集成、持久续航、使用体验流畅 等方向发展与升级,对存储芯片在尺寸、功耗、性能和应用调校等诸多方面提出了更高要求,ePOP存储芯片凭借小尺寸、低功耗、高性能和高可靠等特点,成为智能穿戴设备的绝佳选择。佰维存储基于前代LPDDR3 ePOP产品的成功经验,面向 高端智能手表 推出了 基于LPDDR4X144球的ePOP存储芯片 ,方案相较前代产品频率提升了 128.6% 、体积减少了 32% ,并正式 通过高通5100平台认证 。

佰维基于LPDDR4X 144球的ePOP采用 eMMC5.1 与 LPDDR4X 合封的形式,芯片尺寸仅为 8.0mm× 9.5mm×0.8mm ,ROM顺序读写速度分别高达 310MB/s、240MB/s ,RAM频率高达 4266Mbps ,容量组合最高至 32GB+16Gb (未来将推出容量64GB+16Gb),是佰维面向高端智能手表推出的新一代旗舰存储解决方案。

佰维基于LPDDR4X 144球的ePOP优势:

1、符合JEDEC标准,集成eMMC5.1和LPDDR4X,且通过直接贴装在SoC芯片上,赋能智能手表轻薄设计。

2、基于低功耗LPDRAM和固件优化降低功耗,且相较前代ePOP产品频率提升128.6%,兼顾低功耗、高性能。

3、具有全局磨损平衡管理、LDPC纠错算法、支持FFU升级等功能,且支持-20℃～85℃宽温工作环境,护航数据完整、可靠存储。

4、通过高通5100 SoC平台认证,助力终端客户简化系统设计、加速终端产品上市。

佰维基于LPDDR4X 144球的ePOP产品凭借高性能、低功耗、高可靠等特性,从存储端提升智能手表等智能穿戴设备的整体使用体验。其中,ePOP的高性能特性,可为设备提供高效快速的数据存储支撑, 助力提升设备开关机、APP启动关闭、熄屏锁屏等操作的流畅性 ,同时能够高效处理不同传感器差异化负载和多线程存储需求,确保 快速响应用户的操作和指令 ;ePOP的低功耗特性,在设备多线程、高负载、长时间工作的场景中,助力 减少设备发热,防止设备宕机以及产品过热影响用户体验 ;ePOP的高可靠特性,能够 从容应对设备蓝屏、冷启动、复位等异常情况 ,保证数据完整存储的同时,助力设备稳定、可靠运行。

相较于通用型的 手机 存储芯片而言,智能穿戴存储在通用型存储解决方案的基础上对于厂商的 快速响应和客制化能力 也相应的提出了更高的要求。佰维ePOP存储芯片则集中体现了公司研发封测一体化布局的优势:凭借 在 研发能力支持下的高性能、低功耗优势 ,以及 在专精的存储器封测能力支持下小尺寸、高可靠等优势 ,公司的ePOP等智能穿戴存储产品已进入全球TOP级客户的供应链体系,并占据优势份额。在实际的合作案例中,佰维协同终端客户一起,展开了 SOC平台、存储、系统、应用等多方联动的调校支持与赋能 ,洞悉用户使用场景并不断优化,致力于让终端设备体验更流畅和丝滑,打造终端产品的强势竞争力。