看好|氮化镓行业超级独角兽：英诺赛科技术护城河稳固、业绩增长强劲

氮化镓（GaN）被誉为是继第一代Ge、Si半导体材料、第二代GaAs、InP 化合物半导体材料之后的第三代半导体材料，在光电子、大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景。

根据弗若斯特沙利文的资料，预计到2028年，氮化镓市场规模将达到人民币501.4亿元，占全球功率半导体市占率提升至10.1%，并占全球功率半导体分立器件市场的24.9%。每一次新材料的发明和应用，都是对行业的冲击，冲击中既有挑战，也蕴藏着机遇。在这个领域中，英诺赛科凭借研发创新、成本控制、产能扩张以及全球化布局等多方面的连续投入，已然成为行业的领军者。

英诺赛科作为全球领先的第三代半导体高新技术企业，旗下氮化镓主力产品包括InnoGaN系列、VGaN系列等，产品组合涵盖高、中、低电压，产品研发范围覆盖15V至1200V，公司基于成熟可靠的主力产品及雄厚的研发制造能力，向下游用户提供整体解决方案。经过多年的研发深耕，英诺赛科已经实现了从初创企业到独角兽企业的跨越式发展，英诺赛科于2023—2024年，连续2年入选“胡润全球独角兽榜”。

据悉，英诺赛科在骆薇薇博士的带领下，一直致力于第三代半导体氮化镓研发与应用，为氮化镓功率半导体产业的蓬勃发展奠定坚实基础。透过招股书来看，最近三年英诺赛科业务高速增长，收入复合年增长率高达194.8%，这一业绩无疑令人瞩目。其背后的推动力，除了全球氮化镓下游应用的爆发性增长，还有公司富有前瞻性的战略布局。英诺赛科采用独特的IDM模式，全方位投入产品设计、工艺制造、测试及下游应用等环节，这不仅保证了技术的领先地位，更使得公司能够精准满足市场对高品质氮化镓产品的迫切需求。

虽然从财务角度看，英诺赛科尽管2023年经调整后的净亏损仍有10.16亿元，但与2021年相比，亏损幅度明显缩小。分析人士指出，这主要得益于公司成本控制能力的显著提升以及规模化生产带来的 经济 效益。更重要的是，过去三年累计的亏损主要来源于上市前的股权融资和股权激励支出，而非主营业务亏损，这进一步反映出英诺赛科对长期发展和人才激励的重视。

英诺赛科的财务状况正在持续改善中。公司在研发、产能扩张以及全球化布局方面的连续投入，为其长期发展注入了强劲动力。同时，冲刺港股上市有望为公司带来新的资本注入，并推动技术的研发与市场的进一步开拓。

自成立以来，英诺赛科始终走在全球功率半导体革命的前沿，致力于推动氮化镓技术的创新与应用。目前，英诺赛科已在中国苏州建立全球研发中心，将其定位为第三代半导体材料及芯片的领先研发中心。经过多年的研发深耕，英诺赛科已在氮化镓芯片设计领域积累了丰富的技术经验，拥有自主知识产权，形成了完整的技术体系。

截至2023年12月31日，英诺赛科的研发工作已累计获得213项专利，其中包括173项发明专利及40项实用新型专利，以及480项专利申请，涵盖芯片设计、器件结构、晶圆制造、封装及可靠性测试等关键领域。公司持续夯实研发技术，加大研发投入，2021年至2023年，研发投入人民币15.92亿元。

凭借强大的技术创新实力及领先的量产能力，英诺赛科已成为氮化镓功率半导体产品的全球领导者。按折算氮化镓分立器件出货量统计，公司于2023年在全球氮化镓功率半导体公司中排名第一，市占率达42.4%。

分析人士指出，随着英诺赛科加码技术研发，持续拓宽新能源 汽车 、数据中心等极具增长潜力的市场应用场景，公司还将进一步提升其在氮化镓功率半导体行业的全球竞争力，引领新一轮的能源技术革新浪潮；未来几年，氮化镓功率半导体行业也将迎来前所未有的发展机遇，为全球绿色能源转型贡献力量。