三星发货首款3D NAND闪存 容量潜力暴增

对于生产更大容量的闪存来说，主要的挑战是闪存面积的限制，随着密度越来越高，部件之间的干扰和故障的风险也随之增高。通过大规模生产首款3D垂直NAND闪存，简称V-NAND，三星可能突破了这一限制。

不像传统的闪存把存储部件排列在一个2D平面上，三星通过改进自家的Charge Trap Flash技术创造了一个3D部件结构，部件之间有了更多空间。

结果是部件在更高密度的情况下，速度和稳定性都有所提高。三星宣称这项新技术是旧技术稳定性的2-10倍，数据写入速度的2倍。

首款V-NAND芯片提供16GB的存储容量，不过由于它可以使用高达24层存储元件，所以未来存储容量应该会迅速增加。

第一部使用V-NAND闪存的设备还未出现，让我们期待超大存储的手机和SSD吧。

via Engadget