英诺赛科完成近30亿元D轮融资,钛信资本领投6.5亿元
近日,半导体晶圆片及芯片研发商英诺赛科完成近30亿元D轮融资,本轮融资由钛信资本领投,毅达资本、海通创新、中比基金、赛富高鹏、招证投资等机构跟投。钛信资本作为本轮领投方,本轮出资6.5亿,占比超过20%,也是投资金额最大的投资人。
钛信资本创始人高毅辉表示:“氮化镓作为一种新型半导体材料,是一个崭新的领域,也是为数不多与国外差距不大、我国最有可能实现弯道超车的领域之一,市场前景非常广阔。英诺赛科是氮化镓领域全球龙头,在团队、技术、产能、客户等方面都已达到领先的位置。英诺赛科由原美国宇航局(NASA)科学家骆薇薇博士带队,聚集了来自全球知名半导体企业的氮化镓领域全球顶尖人才,具备丰富的研发、建厂、制造(工艺)和运营经验。公司成立不久就建成中国首条8英寸硅基氮化镓生产线,目前已经开始实现大规模量产,产能国内第一,还在持续快速爬升,公司客户开拓进展也远领先于竞争对手。随着氮化镓应用市场迎来快速增长,我们非常看好公司的成长潜力,将以充足的支持助力其全面发展。”
英诺赛科(苏州)科技有限公司于2015年成立,是第三代半导体硅基氮化镓领域全球龙头,也是全球唯一实现同时量产氮化镓高、低压芯片的IDM企业。英诺赛科技术处全球第一梯队,产能国内第一,消费级市场中快充产品已领先于市场快速放量,未来数据中心、5G基站、新能源汽车等市场将持续接力构成公司增长曲线。
英诺赛科是跻身全球氮化镓产业第一梯队的国产半导体企业代表,是硅基氮化镓领域全球龙头。英诺赛科通过自主研发,攻克了8英寸硅晶圆衬底上外延生长氮化镓单晶材料的世界级难题,首次实现8英寸硅基氮化镓外延与芯片的大规模量产,同时填补了国内在该领域的空白。在非常短的时间内,英诺赛科打破了美国技术垄断,实现了国产氮化镓芯片的崛起。根据Trendforce 2021年数据,英诺赛科氮化镓功率产品全球市场占有率一举攀升至20%,跃升为全球第三,排名仅次于纳微、PI。
目前,英诺赛科是全球唯一实现同时量产氮化镓高、低压芯片的半导体企业,高压快充产品出货已达数千万颗,低压产品成功取代了某电源管理技术世界领先供应商产品,成为中国领先的激光雷达企业禾赛科技的供应商。此外,英诺赛科还与小米、OPPO、比亚迪、安森美、MPS等国内外厂商开展应用开发合作。