高通 10nm 制程 Snapdragon 835 现身，同时支持最新快充 4.0

　　17 日，高通公司宣布将与三星电子合作开发下一代旗舰级处理器 Snapdragon 骁龙 835，据称 835 将采用三星最先进的 10nm 制程。另外，高通表示 835 将支持最新的快充技术 Quick Charge 4.0。

由于采用全新的 10 纳米制程，高通方面表示，骁龙 835 处理器将具备更低的功耗以及更高性能，从而提升移动设备的使用者体验。

据了解，今年 10 月份，三星就率先公布了 10 纳米制程的量产，与上代 14 纳米制程相比，10 纳米可以减少 30% 的芯片尺寸，同时提升 27% 的性能以及降低 40% 的功耗。

借助 10 纳米制程，高通骁龙 835 处理器具备更小的 SoC 尺寸，让 OEM 厂商可以进一步最佳化移动设备的机身内部结构，比如增加电池或是实现更轻薄的设计等。此外，制程的提升也会改善电池续航能力。

目前骁龙 835 已经投入生产，预计搭载骁龙 835 处理器的设备将会在 2017 年上半年陆续出货。

除了骁龙 835 处理器之外，高通还正式发布了全新的 Quick Charge 4.0 快充技术。

QC 4.0 将会在前几代方案的基础上继续提升充电效率，官方称充电 5 分钟可以延长手机使用时长 5 小时，充电效率比之前增加 30%。此外 QC 4.0 还集成了对 USB-C 和 USB-PD（Power Delivery）的支持，相容范围更广泛。

USB-PD 是 Google 最新在 Android 相容性定义档案（Android Compatibility Definition Document）中加入的条目，Google 强烈建议制造商不要使用 Quick Charge 这样非标准性的 USB-C 充电方案，而是遵循 USB-PD 的技术规格。不过，随着最新的 QC4.0 已经支持 USB-PD，Google 所说的“非标准充电”也就不再有效。

值得一提的是，高通还强调 QC 4.0 使用了智能协商最佳电压（Intelligent Negotiation for Optimum Voltage，INOV）演算法和热管理技术。该技术的最大特点在于，透过智能管理设备的充电电量，能有效防止过热问题，进而大大减少充电时爆炸的风险。

高通表示，所有使用 Snapdragon 835 的手机将获得三级电流和四级电压保护，以防止过热。另外，和上一代技术相比，Quick Charge 4.0 也将让手机温度降低摄氏 5 度。

业内人士猜测，此次高通与三星合作研发，很可能意味着三星下一代旗舰机型 Galaxy S8 将首发骁龙 835，而更重要的是，使用了 QC 4.0 的 S8 将比 Note 7 更安全。

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