挖Intel大牛/投资300亿！台积电10nm要与三星决一死战

　　 对手三星在移动SoC工艺解决方案上咄咄逼人，

　　 此前三星在首尔宣布， 正式开始10nm FinFET工艺SoC芯片的量产工作，进度业界第一， 也就是领先台积电和Intel。

　　 去年，三星率先拿出了首个FinFET工艺的移动AP（应用处理器），也就是我们熟知，立下赫赫战功的Exynos 7420。

　　 据悉，三星目前的10nm工艺是10LPE（low-power early），也就是早期低功耗版，这一点和14nm时代的进程一致，后续还会有10nm LPP（low power plus, advanced power processing），预计明年下半年量产，可用于更高性能的芯片。

　　 三星称， 明年初会正式发布首款消费级的10nm FinFET芯 片，毫无疑问，Exynos 8895和骁龙830系列芯片可以放心用了，今天传出的高通10nm转单台积电应该是“不攻自破”了。

　　 这样的局面下，天字一号代工厂台积电显然有些坐不住。

　　 据媒体报道， 台积电近日通过一次董事会议决定，将在未来拿出49.1亿美元（约合333亿元人民币）产能提高 、工厂兴建以及下一代先进制程（7nm/10nm）的研究等。

　　 这几乎相当于台积电全年销售额的15%左右，雄心还是非常大的。

　　 除此之外，此次董事会议还宣布，他们从Intel挖来了Kevin Zhang博士作为平台设计副总裁，后者曾在摩托罗拉、惠普等工作。

　　 有着20年IP设计、发展、管理经验，他会负责存储、混合信号、射频RF这块，向Cliff Hou博士汇报。

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