高通要搞大新闻!10nm工艺骁龙835首现身,同时支持最新快充4.0

17日，高通公司宣布将与三星电子合作开发下一代旗舰级移动处理器骁龙835，据称835要采用三星最先进的10nm制造工艺。另外，高通表示835将支持Quick Charge 4.0――高通最新的快充技术。

由于采用全新的10纳米制程工艺，高通方面表示骁龙835处理器将具备更低的功耗以及更高性能，从而提升移动设备的用户体验。

据悉，今年10月份，三星就率先公布了10纳米工艺的量产，与上代14纳米工艺相比，10纳米可以减少30%的芯片尺寸，同时提升27%的性能以及降低40%的功耗。

借助10纳米工艺制程，高通骁龙835处理器具备更小的SoC尺寸，让OEM厂商可以进一步优化移动设备的机身内部结构，比如增加电池或是实现更轻薄的设计等等。此外，制程工艺的提升也会改善电池续航能力。

目前骁龙835已经投入生产，预计搭载骁龙835处理器的设备将会在2017年上半年陆续出货。

除了骁龙835处理器之外，高通还正式发布了全新的Quick Charge 4.0快充技术。

QC 4.0将会在前几代方案的基础上继续提升充电效率，官方称充电5分钟可以延长手机使用时长5小时，充电效率比之前增加30%。此外QC 4.0还集成了对USB-C和USB-PD(Power Delivery)的支持，适配范围更广泛。

USB-PD是谷歌最新在安卓兼容性定义文档(Android Compatibility Definition Document)中加入的条目，谷歌强烈建议制造商不要使用Quick Charge这样的非标准性的USB-C充电方案，而是遵循USB-PD的技术规格。不过，随着最新的QC4.0已经支持USB-PD，谷歌所说的“非标准充电”也就不再有效。

值得一提的是，高通还特别强调QC 4.0使用了高通智能协商最佳电压（Intelligent Negotiation for Optimum Voltage，INOV）算法和热管理技术。该技术的最大特点在于，通过智能管理设备的充电电量，能有效防止过热问题，从而大大减少充电时爆炸的风险。

高通表示，所有使用Snapdragon 835的手机将获得三级电流和四级电压保护，以防止过热。另外，和上一代技术相比，Quick Charge 4.0也将让手机温度降低高达5摄氏度。

业内人士猜测，此次高通与三星合作研发，很可能意味着三星下一代旗舰机型Galaxy S8将首发骁龙835，而更重要的是，使用了QC 4.0的S8将比Note7更安全。

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