高通新旗舰处理器、新技术出现 升级加速

　　 手机充电能有多块？

　　 满大街的OPPO “充电5分钟，通话两小时”

　　

　　 乐视，魅族联发科24W的逆天快充。

　　

　　 那么，我大高通骁龙呢？

　　 得 益于旗下手机芯片的广泛使用，高通QC 2.0/3.0快充技术应用实例不胜枚举。

　　

　　 据充电头援引消息人士的爆料， 高通有望在10月17日发布QC4.0。

　　 传言QC4.0将最高功率调整到28W ，方案设计为5V/4.7A~5.6A和9V/3A，且步进电压调整为10mV。

　　

　　 目前的QC3.0常见方案为输出5V2.5A、9V2A、12V1.5A，标称最大输出功率18W。

　　 按照高通官方的介绍，Quick Charge 3.0采用INOV最佳电压智能协商算法后，以200mV增量为一档，提供从3.6V到20V电压的灵活选择。

　　 如果爆料靠谱， 那么QC4.0就同时支持大电流和大电压两套方案，而且步进电压精细化后，对于改善充电损耗和散热肯定大有裨益。

　　 我只关心不要充到爆！

　　 骁龙821虽然正在成为安卓旗舰新标配，但它只是骁龙820基础上的加强版，主要以提升频率为主，并没有实质性变化，真正值得期待的是下一代全新骁龙830，或者说叫骁龙835。

　　 根据此前爆料，骁龙835将采用三星10nm工艺制造(骁龙820/821是三星14nm)，今年底量产，集成多达八个Kyro自主架构CPU核心，并有望集成LTE Cat.16基带，三星新旗舰Galaxy S8就会半数采用它。

　　

　　 如今在印度进出口网站Zauba之上，也首次出现了骁龙835的身影，编号为MSM8998(骁龙820/821 MSM8996)，来自高通DTP/MTP参考设计设备，搭载有4GB LPDDR4X内存、64GB UFS存储。

　　 考虑到三星Galaxy S8基本肯定会在明年二月底发布，骁龙835最快今年底量产之前就会正式发布，明年上半年的旗舰也必然一窝蜂都是它了。

　　

　　 高通真是越来越快了

SQ男主播：“有我快？”

　　

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