碳纳米管在相同尺寸上的性能超过硅晶体管

硅基互补金属氧化物半导体（CMOS）晶体管已经很难再继续缩小下去，碳纳米管是替代硅的候选纳米材料之一，碳纳米管晶体管的主要技术挑战过去几年已被陆续得到解决。中国北京大学的科学家开发出栅长5纳米的碳纳米管场效应晶体管，声称其性能超过相同尺寸的硅晶体管。他们的研究报告发表在今天出版的《科学》期刊上。研究人员报告，碳纳米管晶体管比硅基晶体管操作速度更快，工作电压更低。论文通讯作者Lian-Mao Peng称，碳纳米管晶体管的栅电容更小，即使硅基设备缩小到碳纳米管设备相同尺寸，后者的开关速度仍然更快。10纳米碳纳米管CMOS栅电容导致的延迟大约为70飞秒，仅为英特尔14纳米硅基CMOS的三分之一。Peng预测，碳纳米管电子产品有很好的机会到2022年取代硅基CMOS。