台积电开始量产 3 纳米芯片

台积电董事长刘德音在台南科学园 Fab 18 工厂举行的仪式上正式宣布量产 3 纳米芯片。刘德音称，相比 5 纳米芯片，3 纳米芯片逻辑晶体管密度增加 60%，功耗降低 30% 至 35%。更高的逻辑密度意味着可以生产更小的晶体管，运行速度更快，功率更低。刘德音表示市场对 3 纳米芯片的需求十分强劲。台积电的 Fab 18 是其生产 5 纳米和 3 纳米芯片的主要基地，该设施的总投资将达到 1.86 万亿新台币（604.9 亿美元）。