中芯国际开始投产 14 纳米芯片

中国最大的半导体代工厂中芯国际宣布开始使用 14 纳米 FinFET 制造技术生产芯片。这是中国第一条 FinFET 生产线。此前由于地缘政治和知识产权的原因，领先的芯片制造商没有在中国安装过 FinFET 生产线。中芯国际称，14 纳米 FinFET 制造技术完全是自主研发，相比基于平面晶体管的 28 纳米工艺，14 纳米工艺显著增加了晶体管密度、提升了性能，功耗也更低。中芯国际此前预计今年上半年投产 14 纳米芯片，它的进度略微滞后于计划。中芯国际的长期计划包括了 10 纳米和 7 纳米制造工艺，后者预计要使用极紫外光刻工具。它花了 1.2 亿美元从荷兰 ASML 公司购买了极紫外光刻步进扫描系统。