台积电 7nm EUV 芯片流片成功,5nm 芯片明年 Q2 风险量产

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台积电上周宣布了它的极远紫外光刻技术(EUVL)取得的两大重要进展:使用第二代 7nm 制程技术生产的首个客户芯片流片成功;5nm 芯片明年 4 月准备开始风险量产,意味着如果进展顺利到 2020 年 Q2 5nm 芯片将进入到大规模量产阶段。台积电今年 4 月开始使用第一代 7nm 制程技术量产芯片。第一代 7nm 技术(N7)是基于深紫外光刻技术,而第二代 7nm 技术(N7+)将使用极远紫外光刻技术,N7+ 的晶体管密度比 N7 高 20%,同频率下功耗低 8% 左右。台积电没有披露客户的名字,它的重量级客户包括苹果AMD 等公司。

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