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据消息，三星电子宣布，已成功开发出其首款 24Gb GDDR7 DRAM，将广泛应用于需要高性能存储解决方案的各个领域，如数据中心、AI 工作站。成功开发首款24Gb GDDR7 DRAM 据官方表示，24Gb GDDR7 采用了第五代 10 纳米级 DRAM 制程技术，使其在保持与前代产品相同封装尺寸的情况下

7 月 18 日消息，韩媒 ZDNet Korea 报道称，三星电子正积极开发 LLW DRAM 内存，为 苹果 Vision Pro 后的下一代头显订单做好准备。 LLW DRAM 全称 Low Latency Wide I/O DRAM，是一种高性能特殊内存，拥有数量众多的 I/O

6月26日消息，据 媒体 报道，存储芯片产业界近日传来消息，通用型DRAM内存芯片可能面临供应短缺的局面。 随着业界对高带宽存储（HBM）这类DRAM的大力 投资 ，通用型DRAM的产能利用率相对较低，三星和SK海力士的产能利用率仅在80%到90%之间，与NAN

1966年的秋天，IBM研究中心的Robert H. Dennard发明了动态随机存取存储器（DRAM），几十年后，这份伟大的成就为半导体行业缔造了一个影响巨大且市场规模超千亿美元的产业帝国。也是在这数十年间，摩尔定律一直是业界崇尚的黄金法则，也一直是半导体性能和成本的驱动因素。早前的DRAM可以满足业界需求，但随着摩

5 月 30 日消息，随着 DRAM 小型化的不断推进，SK 海力士、三星电子等公司正在致力于新材料的开发和应用。据 TheElec，SK Hynix 计划在第 6 代（1c 工艺，约 10nm）DRAM 的生产中使用 Inpria 下一代金属氧化物光刻胶（MOR），这是 MOR 首次应用于 DRAM 量产工艺。消息人

5 月 6 日消息，现代 DRAM 内存发明人罗伯特・登纳德（Robert Dennard）于 2024 年 4 月 23 日逝世，享年 91 岁。罗伯特・登纳德于 1932 年 9 月 5 日出生于美国得克萨斯州特雷尔。其于 1958 年获得卡内基理工学院（IT之家注：现卡内基梅隆大学）电气工程博士学位，并加入 IB

4 月 29 日消息，据《首尔 经济 日报》今日引述业内人士消息称，除了最近宣布的 M15X 计划之外，SK 海力士还在考虑建设一家新的内存工厂，对在韩国、美国或其他地区建厂持开放态度。 ▲ 图源 SK 海力士，下同据报道，该公司考虑建厂的原因是在建的龙仁芯片集群推迟投产，预计今年内存芯

4月11日，存储芯片制造商美光表示，4月3日中国台湾地震将对其DRAM供应造成最多个位数百分比的影响。据悉，美光在中国台湾有四个工厂，该公司称，地震后DRAM尚未完全投产，但此次地震不会影响公司长期DRAM供应能力。 DRAM广泛应用于数据中心、个人电脑、智能 手机 和其他计算设备。此前市调机构

4月7日最新消息，韩国两大内存芯片制造巨头三星电子和SK海力士顺应全球市场需求的明显复苏趋势，纷纷宣布上调第二季度DRAM晶圆生产投入，此举预示着两家公司在经历先前减产后，正稳步回归正常生产轨道。三星电子作为全球领先的半导体制造商，在二季度显著增强了其DRAM产能。根据知名市场分析机构Omdia的数据，该公司已经将其第

4 月 1 日消息，据外媒 Semiconductor Engineering 报道，三星电子在行业会议 Memcon 2024 上表示计划于 2025 年后在业界率先进入 3D DRAM 内存时代。DRAM 内存行业将于本十年后期将线宽压缩至 10nm 以下。而在如此精细的尺度下，现有设计方案难以进一步扩展，业界因此