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dram nand
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三星:2024年中国市场DRAM/NAND芯片供应将出现短缺
砍柴网
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1年前
三星电子最近对其全球主要客户的半导体需求进行了调查。结果表明,各领域客户的存储库存调整已接近完成,从2024年开始,部分地区的DRAM和NAND Flash供应将出现短缺。三星启动了2024年大规模半导体需求调查,分析了全球主要客户的存储库存现状。三星特别工作组将根据调查结果决定是否继续减产,并将讨论如果继续减产的规模
Yole:2022年DRAM/NAND闪存市场规模预计将创历史新高
砍柴网
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2年前
图源:网络市调机构Yole Dédevelopement近日发布《内存行业年度状况报告》显示,2022年,DRAM、NAND闪存市场将分别增长25%、24%到1180亿美元、830亿美元,均创历史新高。2021-2027年,独立内存市场预计将以8%的CAGR增长至2600多亿美元。然而,季节性因素仍将存在。据Evert
SK 海力士预测存储未来:3D NAND 600 层以上,DRAM 10nm 以下
砍柴网
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3年前
来源:IT之家在最近的 IEEE 国际可靠性物理研讨会上,SK 海力士分享了其近期和未来的技术目标愿景。SK 海力士认为,通过将层数增加到 600 层以上,可以继续提高 3D NAND 的容量。此外,该公司有信心借助极紫外(EUV)光刻技术将 DRAM 技术扩展到 10nm 以下,以及将内存和逻辑芯片整合到同一个设备中
SK海力士预测存储未来:3D NAND600层以上,DRAM10nm以下
雷锋网
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3年前
在最近的IEEE国际可靠性物理研讨会上,SK海力士分享了其近期和未来的技术目标愿景。SK海力士认为,通过将层数增加到600层以上,可以继续提高3D NAND的容量。此外,该公司有信心借助极紫外(EUV)光刻技术将DRAM技术扩展到10nm以下,以及将内存和逻辑芯片整合到同一个设备中,以应对不断增加的工作负载。
三星260亿美元的豪赌:想垄断DRAM和NAND闪存市场
砍柴网
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7年前
据外媒报道,经过50年的发展,半导体市场仍然显得非常活跃,它在今年有望增长20%。随着高增长而来的是供应短缺,这就是DRAM和闪存价格为什么今年会上涨的原因。三星在DRAM和闪存市场占有半壁江山。它计划明年将其在生产方面的资本支出预算提到1.5倍,提高至260亿美元。相对而言,英特尔在2017年的资本支出预算仅为120
三星260亿美元的豪赌:想垄断DRAM和NAND闪存市场
投资界
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7年前
据外媒报道,经过50年的发展,半导体市场仍然显得非常活跃,它在今年有望增长20%。随着高增长而来的是供应短缺,这就是DRAM和闪存价格为什么今年会上涨的原因。 三星在DRAM和闪存市场占有半壁 江山 。它计划明年将其在生产方面的资本支出预算提到1.5倍,提高至260亿美元。相对而言,英特尔在
三星260亿美元的豪赌:想垄断DRAM和NAND闪存市场
腾讯科技
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7年前
腾讯科技讯 据外媒报道,经过50年的发展,半导体市场仍然显得非常活跃,它在今年有望增长20%。随着高增长而来的是供应短缺,这就是DRAM和闪存价格为什么今年会上涨的原因。三星在DRAM和闪存市场占有半壁江山。它计划明年将其在生产方面的资本支出预算提到1.5倍,提高至260亿美元。相对而言,英特尔在2017年的资本支出预
韩国继续统治全球DRAM和NAND芯片市场 中国竞争极为有限
腾讯科技
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7年前
腾讯科技讯 据外电报道,市场调研公司IHS Markit周四发布报告称,韩国芯片巨头今年第三季度在DRAM和NAND闪存市场继续保持着统治优势。整体而言,第三季度全球DRAM内存芯片市场的规模达到197亿美元,较前一季度增长大约35%,再创历史新高。报告显示,按照营收计算,三星电子第三季度占据了全球DRAM内存芯片市场
SK 海力士正式开枪!砸 27 亿美元 NAND 建新厂、DRAM 喊扩产
搜狐科技
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8年前
【Technews科技新报】 需求回温、产能扩增有限,供需失衡下,DRAM 价格在 2016 年下半逆势翻转,而原本看俏的 NAND Flash 在厂商间转进 3D NAND 良率还未提升下,同样面临缺货。先前调研机构集邦科技、IHS 都预估,明年内存价格下跌不易,且有一定的成长,现在厂
左打 DRAM 右踩 NAND,英特尔说好的 3D XPoint 产品呢?
搜狐科技
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8年前
【Technews科技新报】 2015 年 7 月英特尔与美光联合发布了新的内存技术 3D XPoint,左打 DRAM 右踩 NAND Flash 强调可同时取代两者在运算端的需求,在宣布当时引起不小的关注。2015、16 连续两年英特尔在自家开发者大会 IDF 展示搭载 3D XPo
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