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台积电 nm
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台积电确认Fab 21已量产4nm芯片,价格高于中国台湾地区
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1月前
去年9月,台积电(TSMC)在美国亚利桑那州的Fab 21晶圆厂一期厂房内的生产线开始使用4nm工艺(N4P)试产,且良品率与其在中国台湾的工厂相当,随后传出小规模生产A16 Bionic芯片。此前有消息称,Fab 21晶圆厂正在逐步提高产量,并开始生产Ryzen 9000系列处理器所使用的小芯片,另外还有
台积电美国工厂被曝缺乏封装能力,4nm芯片已进入最后的质量验证阶段
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1月前
1 月 15 日消息,位于亚利桑那州的台积电工厂即将开始大规模生产其首款美国制造的 苹果 A 系列芯片。 中国台湾《工商时报》今日报道称,苹果公司在台积电美国亚利桑那州工厂生产的 4 纳米芯片已进入最后的质量验证阶段,英伟达和 AMD 也在该厂进行芯片试产。消息人士还透露,台积电美国厂尚
瑞萨电子介绍与本田合作SDV SoC细节:台积电3nm制程,2000TOPsAI算力
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1月前
1 月 9 日消息,日本半导体企业瑞萨电子昨日公布了其与本田合作开发的高性能 SDV(IT之家注:软件定义 汽车 )SoC 的部分技术细节。该芯片计划用于 Honda 0 系列电动汽车未来车型,特别针对将于本十年末推出的车型。 这颗 SoC 采用台积电 3nm 汽车工艺技术(应为 N3A
试产进展顺利!台积电2nm将在2025年如期量产:iPhone 17错失首发
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1月前
据报道,台积电已于竹科宝山厂试产2nm制程约5000片,相关进展顺利,可望如期量产,后续高雄厂也将跟进量产2nm。台积电此前在法说会上提到,2纳米制程技术研发进展顺利,装置性能和良率皆按照计划甚或优于预期。2nm将如期在2025年进入量产,其量产曲线预计与3nm相似。据悉,台积电2nm首次引入全环绕栅极(GAA)纳米片
iPhone 17错失最先进的2nm制程:台积电明年就要量产
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2月前
12月26日消息,据 媒体 报道,台积电将在明年大规模量产2nm工艺制程,半导体领域正在上演新一轮的制程竞争。 早前有传言称台积电将使用其2nm节点制造A19系列AP,但是最新的供应链消息表明,A19系列芯片将采用台积电第三代3nm工艺(N3P)制造,该芯片将由iPhone 17系列首发
生产良率达60%以上!台积电2nm稳了 明年大规模生产
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2月前
12月9日消息,据外媒报道称,台积电计划明年开始量产2nm芯片,目前该公司已在位于新竹的台积电工厂进行试产,结果显示其2nm制程的良率已达到 60% 以上。这一数据还有较大提升空间,外媒称,通常相应芯片良率需要达到70%或更高才能进入大规模量产阶段(消息称三星的 2nm 工艺良率仅在10%-20%之间)。以目前 60%
台积电或在2025年底量产2nm芯片 工程师称其良率提升6%
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2月前
台积电将于2025年下半年开始使用其N2(2nm级)制造工艺大规模生产半导体,目前该公司正在尽最大努力完善该技术,降低可变性和缺陷密度,从而提高良率。正如台积电的一名员工最近所说,该团队已成功将测试芯片的良率提高6%,为公司客户“节省数十亿美元”。这位自称Dr. Kim的台积电员工并未透露该代工厂是否提高SRAM测试芯
苹果要首发!台积电宣布2nm已准备就绪
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3月前
11月25日消息,据报道,台积电在其欧洲开放创新平台(OIP)论坛上宣布,N2P IP已经准备就绪,所有客户都可以基于台积电的2nm节点设计2nm芯片。据悉,台积电准备准备在2025年末开始大规模量产N2工艺,同时A16工艺计划在2026年末开始投产。按照台积电的规划,从2025年末至2026年末,N2P、N2X以及A
台积电宣布N2P和N2X IP已准备就绪,客户可设计性能增强的2nm芯片
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3月前
本周全球最大的晶圆代工厂台积电(TSMC)在其欧洲开放创新平台(OIP)论坛上宣布,性能增强的N2P和N2X工艺技术的电子设计自动化(EDA)工具和第三方IP模块已经准备就绪。这意味着新品设计人员可以基于台积电第二代N2系列制程提供的工艺开发新品,从而利用GAA晶体管架构和低电阻电容器的优势。据TomsHardware
曾称华为不可能追上!台积电制程遥遥领先,2nm未量产已招大客户抢单
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3月前
11月20日消息,据国外 媒体 报道称,在更先进制程芯片代工上,台积电现在遥遥领先,也难怪他们会喊出华为永远追不上我们的言乱(台积电董事长刘德音公开表示,华为不可能追上台积电。)。 报道中提到,台积电的2nm虽然还没有量产,按首批产能已经被 苹果 预定。
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