三星nand

11 月 27 日消息，ISSCC 官网现已公布 2025 IEEE ISSCC 国际固态电路会议的日程，该会议将于 明年 2 月 16 日~20 日 在美国加州旧金山举行。 包括英特尔 CEO 帕特・基辛格、三星电子 DS 部存储器业务负责人李祯培在内的四位业内人士将在 17 日的全体

11 月 26 日消息，韩媒 The Elec 今天（11 月 26 日）发布博文，报道称三星电子在生产 3D NAND 闪存方面取得重大突破，在其中光刻工艺中大幅缩减光刻胶（PR）用量，降幅达到此前用量的一半。 IT之家援引消息源报道， 此前每层涂层需要 7-8cc 的光刻胶 ，而三星通过精确

11月11日消息，据国内 媒体 报道称，为了让存储价格继续上涨，三星会进一步减产，这势必会对行业带来更大的影响。 报道中提到，三星电子计划到明年上半年为止，将NAND生产量削减规模扩大40%-50%，此举推高了NAND价格。从今年9月起，三星已将NAND Flash快闪存储的减产幅度扩大

三星电子最近对其全球主要客户的半导体需求进行了调查。结果表明，各领域客户的存储库存调整已接近完成，从2024年开始，部分地区的DRAM和NAND Flash供应将出现短缺。三星启动了2024年大规模半导体需求调查，分析了全球主要客户的存储库存现状。三星特别工作组将根据调查结果决定是否继续减产，并将讨论如果继续减产的规模

来源：IT之家三星内部认为目前 NAND Flash 供应价格过低，公司计划今年四季度起，调涨 NAND Flash 产品的合约价格，涨幅在 10% 以上，预计最快本月新合约便将采用新价格。▲ 图源 韩媒 Business Korea自今年年初以来，三星一直奉行减产战略，IT 之家此前曾报道，三星的晶圆产量大幅下降了

据电子时报报道，知情人士透露，包括三星电子和SK海力士在内的NAND闪存芯片制造商正在考虑提高报价。报道称，NAND flash价格暴跌给供应商造成了巨大损失，他们现在正在努力止血。消息人士称，三星和SK海力士在寻求将其NAND闪存价格提高3%-5%。并表示NAND闪存的价格已经降至可变成本以下，一些品牌SSD的价格已

据科创板日报报道，9月2日，有研究机构报告显示，今年二季度三星电子NAND闪存市场的销售额环比下滑5.4%，为59.8亿美元。所占的份额也由上一季度的35.3%，降至33%。尽管数额下滑，但三星仍是第一大厂商，韩国厂商的市场份额也依然在 50% 之上。此外，SK海力士在二季度的销售额为36.15亿美元，环比增长12.1

8月2日消息，据路透社报道，四名知情人士透露，美国考虑限制对中国出口美国芯片制造设备。根据正在研拟的计划，美国将禁止向中国出口用于制造128层堆叠以上NAND Flash闪存芯片设备，而出口限制对象包括长江存储技术有限公司以及其他存储芯片厂商在中国大陆的工厂，如韩国存储芯片巨头三星电子和SK海力士。据悉，三星在中国有两

Kioxia宣布计划扩大生产基地的规模，新建名为K2的晶圆厂。这是一个令人有点惊讶的举动。毕竟距离Kioxia宣布上一座晶圆厂也是没多久之前的事。在不到两个月的时间里宣布的第二座晶圆厂，表明了对未来几年3D NAND闪存不断增长的需求充满信心。如果计划顺利进行，两个新的晶圆厂将在2023至2024年左右全面落成。

根据韩媒报道，三星在下一代闪存芯片的开发中取得重大进展，第七代V NAND闪存芯片将达到176层，并将于明年4月实现量产。这将是业界首个高于160层的高级别的NAND闪存芯片，三星将因此再次拉开与竞争对手的技术差距，维持自2002年以来一直在全球NAND闪存市场中排名第一的地位。图片源自flickr相比于上一代闪存，第