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FinFET工艺
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FinFET 寿终正寝!台积电 2nm GAA 工艺研发进度超前:落后三星一代
砍柴网
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4年前
出处:快 科技 作者:万南 当前,最先进的芯片已经采用了 5nm 工艺( 苹果 A14),这在另一方面也意味着,晶圆代工厂商们需要更加马不停蹄地推进制程技术的迭代。 来自 Digitimes 的最新报道称,台积电 2nm GAA 工艺研发进度提前,目前已经
格芯最新FinFET工艺12LP+研发成功:性能增加2成
砍柴网
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4年前
来源:新浪VR 在过去一段时间里,格芯已经放弃了对于10nm一下制程的研发投入,同时还大力精简 投资 ,出售旗下部分晶圆厂。不过,对于其现有的成熟工艺,格芯依旧保持了极高的优化热情。 最近,格芯正式对外宣布,旗下最先进的FinFET 12LP+工艺完成研发,并已准备正式投产。按照官方说法,
解密中芯国际招股书:募资200亿中60%用于技术突破,第二代FinFET工艺研发稳步推进
钛媒体
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4年前
图片来源@视觉中国6月1日晚间,中芯国际公开科创板IPO的招股说明书,海通、中金、国泰君安等6家券商担任本次发行的主承销商,如此强大的主承销商阵营,折射出资本市场对其重视程度。根据招股公告信息,本次中芯国际计划面向社会发行不超过168562.00万股人民币普通股(行使超额配售选择权之前),占发行后总股本不超过25%,每
GF用12nm FinFET工艺制造出新级别Arm 3D芯片,半导体制程竞争正在改变
雷锋网
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5年前
雷锋网按:去年,正在三星和台积电的7nm工艺临阵待发时,GF突然公布了一项重要的战略转变,决定停止在7nm工艺技术的所有工作及后续制程的研发,将专注于为新兴高增长市场的客户提供专业的制造工艺,包括射频芯片和嵌入式存储芯片等低功耗领域。不过,先进半导体制程的提升难度越来越大,无论英特尔还是台积电,都在通过先进封装技术进一
三星 FinFET 工艺被判侵犯专利权,需赔偿 4 亿美金
砍柴网
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6年前
三星这两年把半导体代工业务作为重点来抓,今年率先推出了 7nm EUV 工艺,抢在了台积电、GlobalFoundries 及英特尔前面。如今这几家半导体制造公司都要依赖 FinFET 晶体管工艺,除了英特尔之外,三星是最早进入 FinFET 工艺的厂商之一,但是他们的 FinFET 工艺也惹上了麻烦,上周末被美国法院
高通力挺台积电FinFET工艺:三星尴尬癌犯了
凤凰科技
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7年前
原标题:高通力挺台积电FinFET工艺:三星尴尬癌犯了高通、三星已经率先进入10nm工艺节点,接下来会是7nm,前者的首发产品有望是骁龙845。关于骁龙845的7nm代工问题,一直传闻不断,但总结下来无非台积电和三星两种。据Digitimes报道,高通授权业务的高级副总裁Sudeepto Roy最近到访台湾接受采访时指
三星确认骁龙 820 使用第二代 14nm FinFET 工艺
雷锋网
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9年前
骁龙 820 此前已经传闻将会由三星代工生产,今天三星 官方 正式确认了这个消息,并且表示大规模生产使用的是三星最新的第二代 14nm FinFET 工艺。三星电子发言人的原话如下: “We are pleased to start production of our indu
世界首杀! 三星研发出了10nm FinFET工艺的SRAM
雷锋网
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9年前
据韩国媒体最新报道,三星半导体目前已经研发出了世界上第一颗基于10nm FinFET工艺的SRAM。其实IBM半导体联盟早在今年7月就制造了世界首个10nm的晶圆,但由于10nm工艺的技术难题,各大半导体厂家都相继推迟了它们的10nm 工艺计划。所谓的SRAM中文译名是静态随机存取存储器,大多数用于CPU缓存,基于10
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