三星量产

4月12日消息，韩媒asiae于4月10日发布博文，消息称三星计划2025年11月量产首款采用2纳米工艺的Exynos 2600芯片。若Galaxy S26机型能顺利搭载Exynos 2600，三星有望借此展示2纳米技术实力，吸引更多客户。IT之家援引博文介绍，新任Foundry事业部负责人韩真晚（Han Jinman

4 月 11 日消息，韩媒 sedaily 昨日（4 月 10 日）发布博文，报道称三星计划将于 5 月量产 Galaxy Z Fold7、Galaxy Z Flip7 以及 Galaxy Z Flip7 FE（粉丝版）三款折叠 手机 。 IT之家援引博文介绍，三星计划下月在韩

3 月 21 日消息，韩媒 Business Korea 于 3 月 19 日发布博文，报道称三星为进一步巩固其在显示面板市场的领先地位， 正加速推进电致发光量子点（Electroluminescent Quantum Dots，简写 EL-QD）技术。EL-QD 技术被视为下一代显示技术的突破方向，

砍柴网消息：三星电子原计划于2027年量产的FS1.4（1.4nm级）先进制程工艺，近期被曝面临重大技术挑战，量产目标或无法达成。据行业消息称，若研发进度持续滞后，该项目可能被迫终止。 三星代工业务近年来频现技术及市场困境。此前，其7nm及5nm工艺因产能利用率不足已逐步关停；3nm工艺（FS3）因良率问题导致

11 月 26 日消息，韩媒 The Elec 今天（11 月 26 日）发布博文，报道称三星电子在生产 3D NAND 闪存方面取得重大突破，在其中光刻工艺中大幅缩减光刻胶（PR）用量，降幅达到此前用量的一半。 IT之家援引消息源报道， 此前每层涂层需要 7-8cc 的光刻胶 ，而三星通过精确

业内人士透露，三星电子最近通过了英伟达的HBM3资格测试，已开始量产，并向英伟达供应HBM3内存，为了补充因HBM供应而变得不足的通用DRAM供应，平泽P4工厂将转变为仅生产DRAM的生产线，这是三星电子首次向英伟达供应HBM3内存。文章评价匿名用户发布发布

三星电子计划利用其尖端的4nm代工工艺量产下一代高带宽存储器（HBM）芯片HBM4，这是驱动人工智能（AI）设备的核心芯片，以对抗该领域的更大竞争对手SK海力士和台积电。业内消息人士表示，三星将利用4nm代工工艺制造第六代HBM4的逻辑芯片。逻辑芯片位于芯片堆栈的底部，是控制DRAM的HBM芯片的核心组件。存储芯片制造

7 月 12 日消息，集邦咨询于 7 月 10 日发布博文，玻璃基板技术凭借着卓越的性能以及诸多优势，已经成为先进封装领域一颗冉冉升起的新星。玻璃基板技术芯片基板是用来固定晶圆切好的裸晶（Die），封装的最后一步的主角，基板上固定的裸晶越多，整个芯片的晶体管数量就越多。芯片基板材料主要经历了两次迭代，上世纪 70 年代

7 月 3 日消息，韩媒 ETNews 近日报道称，三星电子 AVP 先进封装部门正在开发面向 AI 半导体芯片的新型“3.3D”先进封装技术，目标 2026 年二季度实现量产。韩媒给出的概念图显示，这一 3.3D 封装技术整合了三星电子多项先进异构集成技术。▲ 图源 ETNews概念图中 GPU（AI 计算芯片）垂直

今年3月，JEDEC发布了JES239Graphics Double Data Rate 7，即GDDR7标准，可提供两倍于GDDR6的带宽，以满足未来图形、 游戏 、计算、网络和人工智能应用对高内存带宽不断增长的需求。显然这也是为下一代显卡做好准备，传闻英伟达的GeForce RTX 50系