三星量产

业内人士透露，三星电子最近通过了英伟达的HBM3资格测试，已开始量产，并向英伟达供应HBM3内存，为了补充因HBM供应而变得不足的通用DRAM供应，平泽P4工厂将转变为仅生产DRAM的生产线，这是三星电子首次向英伟达供应HBM3内存。文章评价匿名用户发布发布

三星电子计划利用其尖端的4nm代工工艺量产下一代高带宽存储器（HBM）芯片HBM4，这是驱动人工智能（AI）设备的核心芯片，以对抗该领域的更大竞争对手SK海力士和台积电。业内消息人士表示，三星将利用4nm代工工艺制造第六代HBM4的逻辑芯片。逻辑芯片位于芯片堆栈的底部，是控制DRAM的HBM芯片的核心组件。存储芯片制造

7 月 12 日消息，集邦咨询于 7 月 10 日发布博文，玻璃基板技术凭借着卓越的性能以及诸多优势，已经成为先进封装领域一颗冉冉升起的新星。玻璃基板技术芯片基板是用来固定晶圆切好的裸晶（Die），封装的最后一步的主角，基板上固定的裸晶越多，整个芯片的晶体管数量就越多。芯片基板材料主要经历了两次迭代，上世纪 70 年代

7 月 3 日消息，韩媒 ETNews 近日报道称，三星电子 AVP 先进封装部门正在开发面向 AI 半导体芯片的新型“3.3D”先进封装技术，目标 2026 年二季度实现量产。韩媒给出的概念图显示，这一 3.3D 封装技术整合了三星电子多项先进异构集成技术。▲ 图源 ETNews概念图中 GPU（AI 计算芯片）垂直

今年3月，JEDEC发布了JES239Graphics Double Data Rate 7，即GDDR7标准，可提供两倍于GDDR6的带宽，以满足未来图形、 游戏 、计算、网络和人工智能应用对高内存带宽不断增长的需求。显然这也是为下一代显卡做好准备，传闻英伟达的GeForce RTX 50系

5月22日消息，据 媒体 报道，三星将在2024年下半年开始大规模量产3nm Exynos处理器，命名为Exynos 2500，由三星Galaxy S25系列首发搭载。 资料显示，去年台积电率先量产商用3nm制程，由 苹果 A17 Pro、M4首批搭载。

12 月 26 日消息，据 Businesskorea 报道，三星电子将位于美国得克萨斯州泰勒的新半导体工厂的量产启动时间推迟到了 2025 年，而最初目标是明年开始量产。推迟的原因据推测与美国政府补贴和各种许可证复杂性问题有关， 经济 复苏的不确定性也似乎影响了三星电子在该地区的 投

9 月 18 日消息，根据行业人士 @ 手机 晶片达人 爆料，英伟达已经跟三星就 3nm GAA 工艺制程进行了接洽，如果一切顺利则预定在 2025 年进行量产。 Hardwaretimes 此前也曾有过报道，下一代英伟达旗舰显卡 RTX 5090 将使用 3nm 工艺，预计将在明年年底

7月29日消息，在3nm节点，三星去年6月份就宣布量产，进度比台积电还快，不过后者拿到了 苹果 等大客户的订单，三星没有重量级客户，这方面有所不如。 在日前的财报中，三星表示3nm工艺的良率已经稳定，代工厂正在顺利量产第三款3nm芯片，不过三星没有透露是为谁代工的。日前有传闻称AMD也在

5 月 29 日消息，据韩国《国民日报》报道，三星显示正在筹备透明 OLED 量产，目标是 2023 年下半年发布试制品。▲ 图源：LG报道称，三星显示目前正在开发的是采用量子点技术的透明 OLED，计划最快今年下半年推出试制品。消息人士表示，三星显示还没有设定量产透明 OLED 的具体时间，目前仍无法确定该面板面向的