dram 三星

据消息，三星电子宣布，已成功开发出其首款 24Gb GDDR7 DRAM，将广泛应用于需要高性能存储解决方案的各个领域，如数据中心、AI 工作站。成功开发首款24Gb GDDR7 DRAM 据官方表示，24Gb GDDR7 采用了第五代 10 纳米级 DRAM 制程技术，使其在保持与前代产品相同封装尺寸的情况下

7 月 18 日消息，韩媒 ZDNet Korea 报道称，三星电子正积极开发 LLW DRAM 内存，为 苹果 Vision Pro 后的下一代头显订单做好准备。 LLW DRAM 全称 Low Latency Wide I/O DRAM，是一种高性能特殊内存，拥有数量众多的 I/O

4月7日最新消息，韩国两大内存芯片制造巨头三星电子和SK海力士顺应全球市场需求的明显复苏趋势，纷纷宣布上调第二季度DRAM晶圆生产投入，此举预示着两家公司在经历先前减产后，正稳步回归正常生产轨道。三星电子作为全球领先的半导体制造商，在二季度显著增强了其DRAM产能。根据知名市场分析机构Omdia的数据，该公司已经将其第

4 月 1 日消息，据外媒 Semiconductor Engineering 报道，三星电子在行业会议 Memcon 2024 上表示计划于 2025 年后在业界率先进入 3D DRAM 内存时代。DRAM 内存行业将于本十年后期将线宽压缩至 10nm 以下。而在如此精细的尺度下，现有设计方案难以进一步扩展，业界因此

据业内人士称，全球最大存储芯片制造商三星电子公司在美国新设了一个研究实验室，以开发新一代3D DRAM。该实验室隶属于总部位于美国硅谷、负责三星在美国半导体生产的Device Solutions America (DSA)，将致力于开发升级的DRAM模型，使三星能够引领全球3D存储芯片市场。去年10月，三星透露正在为1

三星电子最近对其全球主要客户的半导体需求进行了调查。结果表明，各领域客户的存储库存调整已接近完成，从2024年开始，部分地区的DRAM和NAND Flash供应将出现短缺。三星启动了2024年大规模半导体需求调查，分析了全球主要客户的存储库存现状。三星特别工作组将根据调查结果决定是否继续减产，并将讨论如果继续减产的规模

9 月 1 日消息，三星今日宣布采用 12 纳米 (nm) 级工艺技术，开发出其容量最大的 32Gb DDR5 DRAM，在相同封装尺寸下，容量是 16Gb 内存模组的两倍。三星电子存储器事业部内存开发组执行副总裁 SangJoon Hwang 表示：在三星最新推出的 12 纳米级 32Gb 内存的基础上，三星可以研发