闪存量产

「星期三」Hello Wednesday美光量产首款 232 层 3D NAND 闪存芯片 美光宣布量产 232 层 3D NAND 闪存芯片，这是首款突破 200 层的闪存芯片，竞争对手目前提供的技术最多 176 层。美光新技术将每单位面积存储的比特密度提高一倍至每平方毫米存储 14.6 Gb。3D N

出处：快 科技 作者：万南  今日，三星电子宣布已开始量产 512GB 封装容量的 eUFS 3.1 闪存，可用于 手机 、平板等。 相较上一代 eUFS 3.0（512GB）闪存产品，新款的写速提升了 200%，达到了惊人的 1200MB/s，

网易科技讯 9月2日消息 紫光集团旗下长江存储在IC China 2019前夕宣布，公司已开始量产基于Xtacking架构的64层256 Gb TLC 3D NAND闪存，以满足固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用需求。作为中国首款64层3D NAND闪存，该产品将亮相IC China 2019紫光集团展台。据官方介绍，

9月2日消息，紫光集团旗下长江存储在宣布，公司已开始量产基于Xtacking架构的64层256Gb TLC 3D NAND闪存，以满足固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用需求。作为中国首款64层3D NAND闪存，该产品将亮相IC China 2019紫光集团展台。长江存储64层3D NAND闪存是全球首款基于Xtack

蓝鲸TMT频道9月2日讯，紫光集团旗下长江存储科技有限责任公司宣布，公司已开始量产基于Xtacking ®架构的64层256 Gb TLC 3D NAND闪存，以满足固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用需求。 长江存储64层3D NAND闪存是全球首款基于Xtacking ®架构设计并实

根据外媒报道，SK 海力士宣布量产 4D TLC 闪存，新工艺的闪存将会减少 30% 的核心面积，读取、写入速度分别提升 30%、25%。从 SK 海力士给出的资料图中可以看到，海力士 4D 闪存采用的是 V5 512Gb TLC 闪存，同时采用的是 96 层堆叠、I/O 接口速度达到了 1.2Gbps，同时 SK 海

（原标题：Asian chipmakers' production plans in focus as super-cycle winds down）网易科技讯 7月26日消息，据国外媒体报道，亚洲内存芯片制造商的生产计划和前景将受到密切关注，本周这些制造商将开始陆续公布季度财报。此前，由于担心长达两年时间的

苹果iPhone8备货期已经基本完成，富士康等代工厂已经逐渐开启生产线，新一代iPhone正式进入量产期，随着iPhone 8的大量量产，对于全球 手机 供应链都会产生冲击，尤其是相对紧缺的闪存芯片市场，iPhone8量产将会加深闪存芯片的短缺。 据外媒报道，苹果将在今年秋季发布iPhone 8，