三星finfet

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FinFET 寿终正寝！台积电 2nm GAA 工艺研发进度超前：落后三星一代

砍柴网 • 4年前

出处：快科技作者：万南当前，最先进的芯片已经采用了 5nm 工艺（苹果 A14），这在另一方面也意味着，晶圆代工厂商们需要更加马不停蹄地推进制程技术的迭代。来自 Digitimes 的最新报道称，台积电 2nm GAA 工艺研发进度提前，目前已经

三星 FinFET 工艺被判侵犯专利权，需赔偿 4 亿美金

砍柴网 • 6年前

三星这两年把半导体代工业务作为重点来抓，今年率先推出了 7nm EUV 工艺，抢在了台积电、GlobalFoundries 及英特尔前面。如今这几家半导体制造公司都要依赖 FinFET 晶体管工艺，除了英特尔之外，三星是最早进入 FinFET 工艺的厂商之一，但是他们的 FinFET 工艺也惹上了麻烦，上周末被美国法院

高通力挺台积电FinFET工艺：三星尴尬癌犯了

凤凰科技 • 7年前

原标题：高通力挺台积电FinFET工艺：三星尴尬癌犯了高通、三星已经率先进入10nm工艺节点，接下来会是7nm，前者的首发产品有望是骁龙845。关于骁龙845的7nm代工问题，一直传闻不断，但总结下来无非台积电和三星两种。据Digitimes报道，高通授权业务的高级副总裁Sudeepto Roy最近到访台湾接受采访时指

三星被指盗取FinFET芯片专利技术将被起诉

砍柴网 • 8年前

北京时间12月5日消息，据外媒报道，三星电子被指侵犯了与鳍式场效应晶体管(FinFET)制程工艺相关的专利，面临诉讼。韩媒称，韩国科学技术院(KAIST)计划对三星提起诉讼，指控后者侵犯其FinFET专利。KAIST称，他们开发了10纳米FinFET工艺，但是三星窃取了这项技术，并将其用于生产高通骁龙835芯片。KAI

三星被指盗取FinFET芯片专利技术将被起诉

凤凰科技 • 8年前

三星凤凰科技讯北京时间12月5日消息，据外媒报道，三星电子被指侵犯了与鳍式场效应晶体管(FinFET)制程工艺相关的专利，面临诉讼。韩媒称，韩国科学技术院(KAIST)计划对三星提起诉讼，指控后者侵犯其FinFET专利。KAIST称，他们开发了10纳米FinFET工艺，但是三星窃取了这项技术，并将其用于生产高通骁龙8

KAIST 告三星、高通侵犯 FinFET 专利，台积电、苹果也恐遭殃

搜狐科技 • 8年前

　　韩国媒体朝鲜日报、东亚日报 1 日报导，韩国科学技术院（KAIST）专利管理子公司 KAIST IP 于 11 月 30 日向德州联邦地方法院提起专利侵权诉讼，控告三星电子、高通（Qualcomm）和格罗方德（GlobalFoundries）擅自盗用其所拥有的“FinFET”技术专利，要求支付专利使用费。

三星确认骁龙 820 使用第二代 14nm FinFET 工艺

雷锋网 • 9年前

骁龙 820 此前已经传闻将会由三星代工生产，今天三星官方正式确认了这个消息，并且表示大规模生产使用的是三星最新的第二代 14nm FinFET 工艺。三星电子发言人的原话如下： “We are pleased to start production of our indu

世界首杀！三星研发出了10nm FinFET工艺的SRAM

雷锋网 • 9年前

据韩国媒体最新报道，三星半导体目前已经研发出了世界上第一颗基于10nm FinFET工艺的SRAM。其实IBM半导体联盟早在今年7月就制造了世界首个10nm的晶圆，但由于10nm工艺的技术难题，各大半导体厂家都相继推迟了它们的10nm 工艺计划。所谓的SRAM中文译名是静态随机存取存储器，大多数用于CPU缓存，基于10

Apple Watch或将搭载三星FinFET芯片

雷锋网 • 10年前

此前，外媒曾报道称，三星已经向苹果提交了采用14nm FinFET制程的芯片样本，并且该芯片可能将用于下一代iPhone和iPad。而现在，根据苹果供应链的消息，在下一代iPhone和iPad之前，苹果很有可能就已经率先使用三星的14 nm FinFET制程芯片，这款设备就是

传三星获高通首批14纳米FinFET芯片订单

雷锋网 • 10年前

据台湾媒体报道，业界消息称，高通已经将首批FinFET（鳍式场效晶体管）芯片订单下给了三星电子，而不是业界普遍认为的台积电。三星将使用14纳米制程工艺生产FinFET芯片，而台积电使用的是16纳米。消息称，尽管16纳米晶粒（Die）尺寸大于14纳米，但台积电自信可以通过将芯片生产良品率最大化的方式增加产能，进而帮助客户