海力士芯片

7月27日讯  全球第二大内存芯片制造商SK海力士周五表示，已决定 投资 约9.4万亿韩元(约合68亿美元)在韩国龙仁市建设当地第一家芯片工厂。 按照计划，SK海力士将于明年3月开工建设龙仁集群的首座厂房，并于2027年5月竣工。此前一天，这家英伟达的供应商公布了2018年以来的最高季度

7 月 25 日消息，SK 海力士宣布将在芯片生产清洗工艺中使用更环保的气体 —— 氟气（F2）。SK 海力士 2024 可持续发展报告显示，该公司原先将三氟化氮（NF3）用于芯片生产过程中的清洗工艺，用于去除沉积过程中腔室内部形成的残留物，其全球变暖潜能值（GWP）显著高于氟气（IT之家注：NF3 的 GWP 为 1

5 月 16 日消息，韩国每日 经济 新闻报道称，SK 海力士代工部门启方半导体（SK Key Foundry）将于今年下半年开始为特斯拉生产电源管理（PMIC）芯片。 ▲ 图源：SK Key Foundry 业内人士表示，SK 启方半导体计划最早于 7 月在忠清北道清州工厂的

3 月 27 日消息，《华尔街日报》昨日称，SK 海力士计划 投资 约 40 亿美元（IT之家备注：当前约 289.2 亿元人民币）在美国印第安纳州西拉斐特建造一座先进芯片封装厂，并计划于 2028 年投产。 对此，SK 海力士在一份声明中表示，公司正审查其在美国投资先进芯片封装的计划，

据韩国产业部声明，韩国计划要在首尔附近建设世界上最大的半导体产业集群，到2047年将投资总计622万亿韩元，建立16座芯片工厂。三星电子将在龙仁芯片厂投资360万亿韩元，在平泽的系统和芯片厂投资120万亿韩元，在器兴的内存研发工厂投资20万亿韩元。SK海力士将在龙仁投资122万亿韩元生产内存芯片。该集群将生产HBM、P

据韩媒报道，韩国芯片巨头SK海力士准备打破美国对华极紫外（EUV）光刻机出口相关限制，对其中国半导体工厂进行技术提升改造。这被外界解读为，随着半导体市场的复苏以及中国高性能半导体制造能力提升，一些韩国芯片企业准备采取一切可以使用的方法来提高在华工厂制造工艺水平。 韩国《首尔 经济 》13日的报道

SK海力士周一表示，已开始向中国智能手机制造商Vivo供应其最新款移动DRAM芯片。今年1月开发的16GB低功耗双倍数据速率5 Turbo (LPDDR5T)封装将与联发科的下一代移动应用处理器(AP)一起安装在Vivo最新的智能手机型号X100和X100 Pro上。这是LPDDR5T技术的首次商业化。LPDDR5T是

10月25日，界面新闻从供应链端获得的消息，vivo X100系列将成为全球第一部搭载海力士LPDDR5T内存的旗舰机型。相比主流LPDDR5X内存，LPDDR5T的读取速度提升达13%，是目前行业最快的移动DRAM。从目前释放消息来看，vivo 已经与Mediatek 合作，搭载天玑9300平台，这意味着， vivo

 近日，半导体市场传出两则重磅消息：一是美国放宽对中国的出口限制，允许三星电子和SK海力士向其中国工厂提供设备；二是三星电子和SK海力士宣布对DRAM和NAND闪存芯片涨价10%-20%。这两则消息引发了市场的广泛关注，尤其是对于国内的存储芯片领军企业——长江存储来说，尤为重要。长江存储是全球第一个量产232层3D N

对于半导体企业，特别是存储厂商，日子真的是太难过了，何时迎来转机，目前还不清楚。随着内存、SSD继续降价，但是用户购买欲望不高，这导致韩国厂商备受打击。 据韩国 媒体 报道称，尽管三星电子、SK海力士等韩国主要DRAM厂商积极通过降价等方式消化库存，但韩国券 商业 内人