高通10nm工艺

联发科去年寄望在高端和中端芯片都引入10nm工艺与高通竞争吃了大亏，如今其发布了两款新的中端芯片却全部采用16nm工艺，而高通却在这个时候开始在中端芯片引入10nm工艺，让联发科艰难应对。联发科在先进工艺争夺上居于劣势很明显的是，当前两大芯片制造企业台积电和三星均优先照顾高通和苹果，毕竟高通和苹果为全球最大的两家芯片企

图：高通骁龙835处理器凤凰科技讯（作者/刘正伟）赶在美国消费电子展CES 2017正式开展之前，高通发布了其首款10nm FinFET工艺制程的处理器骁龙835。目前该芯片已经投产，预计今年上半年将有搭载该芯片的商用终端出货。骁龙835采用4x2.45GHz大核、4x1.9GHz小核八核心设计，大小核均为Kryo28

　　 17日，高通公司宣布将与三星电子合作开发下一代旗舰级移动处理器骁龙835，据称835要采用三星最先进的10nm制造工艺。另外，高通表示835将支持Quick Charge 4.0――高通最新的快充技术。由于采用全新的10纳米制程工艺，高通方面表示骁龙835处理器将具备更低的功耗以及更高性能，从而

今天，高通官方宣布，将使用三星的10nm FinFET打造自家的新旗舰处理器：骁龙835 　　高通表示，与上一代14纳米FinFET工艺相比，三星10纳米工艺可以在 减少高达30%的芯片尺寸的基础上，同时实现性能提升27%或高达40%的功耗降低。 　　 　　因此，通过10nm工