3d nand

11 月 27 日消息，ISSCC 官网现已公布 2025 IEEE ISSCC 国际固态电路会议的日程，该会议将于 明年 2 月 16 日~20 日 在美国加州旧金山举行。 包括英特尔 CEO 帕特・基辛格、三星电子 DS 部存储器业务负责人李祯培在内的四位业内人士将在 17 日的全体

11 月 26 日消息，韩媒 The Elec 今天（11 月 26 日）发布博文，报道称三星电子在生产 3D NAND 闪存方面取得重大突破，在其中光刻工艺中大幅缩减光刻胶（PR）用量，降幅达到此前用量的一半。 IT之家援引消息源报道， 此前每层涂层需要 7-8cc 的光刻胶 ，而三星通过精确

全球NAND闪存主控芯片领导厂商慧荣 科技 (NasdaqGS: SIMO)，2月17日宣布推出SM2268XT—最新的高性能PCIe Gen4 SSD主控芯片解决方案，该方案优化了更高的NAND传输速率，为业界首款支持3200 MT/s NAND IO Speed的主控芯片。SM2268XT

2022年11月29日，据知名半导体和微电子情报提供商TechInsights报道，长江存储的232层3D NAND闪存X3-9070已经实现量产，领先于三星、美光、SK海力士等厂商，这也是 中国品牌在半导体领域首次领先于国际竞争者。 中国半导体在先进制程制造上的持续重大突破，给国产量检测设备

「星期三」Hello Wednesday美光量产首款 232 层 3D NAND 闪存芯片 美光宣布量产 232 层 3D NAND 闪存芯片，这是首款突破 200 层的闪存芯片，竞争对手目前提供的技术最多 176 层。美光新技术将每单位面积存储的比特密度提高一倍至每平方毫米存储 14.6 Gb。3D N

5 月 13 日消息，美光公司周四发布了业界首个具有 232 层的 3D NAND 闪存，该公司计划将其新的 232 层 3D NAND 产品用于各种产品，包括固态硬盘，并计划在 2022 年底左右开始量产此类芯片。图片来源：美光IT之家了解到，美光的 232 层 3D NAND 闪存采用 3D TLC 架构，原始容量

来源：IT之家在最近的 IEEE 国际可靠性物理研讨会上，SK 海力士分享了其近期和未来的技术目标愿景。SK 海力士认为，通过将层数增加到 600 层以上，可以继续提高 3D NAND 的容量。此外，该公司有信心借助极紫外（EUV）光刻技术将 DRAM 技术扩展到 10nm 以下，以及将内存和逻辑芯片整合到同一个设备中

在最近的IEEE国际可靠性物理研讨会上，SK海力士分享了其近期和未来的技术目标愿景。SK海力士认为，通过将层数增加到600层以上，可以继续提高3D NAND的容量。此外，该公司有信心借助极紫外（EUV）光刻技术将DRAM技术扩展到10nm以下，以及将内存和逻辑芯片整合到同一个设备中，以应对不断增加的工作负载。

Kioxia宣布计划扩大生产基地的规模，新建名为K2的晶圆厂。这是一个令人有点惊讶的举动。毕竟距离Kioxia宣布上一座晶圆厂也是没多久之前的事。在不到两个月的时间里宣布的第二座晶圆厂，表明了对未来几年3D NAND闪存不断增长的需求充满信心。如果计划顺利进行，两个新的晶圆厂将在2023至2024年左右全面落成。

NAND非易失性闪存存储器作为存储行业的突破性革新已有多年发展历史，随着2D NAND容量达到极限，以及晶体管越来越小，NAND的编程时间变长，擦写次数变少，能够将内存颗粒堆叠起来的3D NAND应运而生，可以支持在更小的空间内容纳更高的存储容量，在需要存储海量数据的时代有着重大价值。依托于先进工艺的3D NAND，氧