3d nand

全球NAND闪存主控芯片领导厂商慧荣 科技 (NasdaqGS: SIMO)，2月17日宣布推出SM2268XT—最新的高性能PCIe Gen4 SSD主控芯片解决方案，该方案优化了更高的NAND传输速率，为业界首款支持3200 MT/s NAND IO Speed的主控芯片。SM2268XT

2022年11月29日，据知名半导体和微电子情报提供商TechInsights报道，长江存储的232层3D NAND闪存X3-9070已经实现量产，领先于三星、美光、SK海力士等厂商，这也是 中国品牌在半导体领域首次领先于国际竞争者。 中国半导体在先进制程制造上的持续重大突破，给国产量检测设备

「星期三」Hello Wednesday美光量产首款 232 层 3D NAND 闪存芯片 美光宣布量产 232 层 3D NAND 闪存芯片，这是首款突破 200 层的闪存芯片，竞争对手目前提供的技术最多 176 层。美光新技术将每单位面积存储的比特密度提高一倍至每平方毫米存储 14.6 Gb。3D N

5 月 13 日消息，美光公司周四发布了业界首个具有 232 层的 3D NAND 闪存，该公司计划将其新的 232 层 3D NAND 产品用于各种产品，包括固态硬盘，并计划在 2022 年底左右开始量产此类芯片。图片来源：美光IT之家了解到，美光的 232 层 3D NAND 闪存采用 3D TLC 架构，原始容量

来源：IT之家在最近的 IEEE 国际可靠性物理研讨会上，SK 海力士分享了其近期和未来的技术目标愿景。SK 海力士认为，通过将层数增加到 600 层以上，可以继续提高 3D NAND 的容量。此外，该公司有信心借助极紫外（EUV）光刻技术将 DRAM 技术扩展到 10nm 以下，以及将内存和逻辑芯片整合到同一个设备中

在最近的IEEE国际可靠性物理研讨会上，SK海力士分享了其近期和未来的技术目标愿景。SK海力士认为，通过将层数增加到600层以上，可以继续提高3D NAND的容量。此外，该公司有信心借助极紫外（EUV）光刻技术将DRAM技术扩展到10nm以下，以及将内存和逻辑芯片整合到同一个设备中，以应对不断增加的工作负载。

Kioxia宣布计划扩大生产基地的规模，新建名为K2的晶圆厂。这是一个令人有点惊讶的举动。毕竟距离Kioxia宣布上一座晶圆厂也是没多久之前的事。在不到两个月的时间里宣布的第二座晶圆厂，表明了对未来几年3D NAND闪存不断增长的需求充满信心。如果计划顺利进行，两个新的晶圆厂将在2023至2024年左右全面落成。

NAND非易失性闪存存储器作为存储行业的突破性革新已有多年发展历史，随着2D NAND容量达到极限，以及晶体管越来越小，NAND的编程时间变长，擦写次数变少，能够将内存颗粒堆叠起来的3D NAND应运而生，可以支持在更小的空间内容纳更高的存储容量，在需要存储海量数据的时代有着重大价值。依托于先进工艺的3D NAND，氧

网易科技讯 4月13日消息，长江存储今日在官网宣布其128层QLC 3D NAND闪存芯片X2-6070研发成功，并已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证。长江存储表示，X2-6070是业内首款128层QLC规格的3D NAND闪存，拥有业内已知型号产品中最高单位面积存储密度，最高I/O传输速度和最高单颗NA

（原标题：长江存储：128层3D NAND技术会按计划在今年推出）IT之家4月8日消息 据证券时报消息，长江存储CEO杨士宁在接受采访时谈及了该公司最先进的128层3D NAND技术的研发进度。杨士宁表示，128层3D NAND技术研发进度短期确实会有所波及。但目前长江存储已实现全员复工，从中长期来看，这次疫情并不会影