美光闪存

「星期三」Hello Wednesday美光量产首款 232 层 3D NAND 闪存芯片 美光宣布量产 232 层 3D NAND 闪存芯片，这是首款突破 200 层的闪存芯片，竞争对手目前提供的技术最多 176 层。美光新技术将每单位面积存储的比特密度提高一倍至每平方毫米存储 14.6 Gb。3D N

5 月 13 日消息，美光公司周四发布了业界首个具有 232 层的 3D NAND 闪存，该公司计划将其新的 232 层 3D NAND 产品用于各种产品，包括固态硬盘，并计划在 2022 年底左右开始量产此类芯片。图片来源：美光IT之家了解到，美光的 232 层 3D NAND 闪存采用 3D TLC 架构，原始容量

一款产品要获得大众的认可，通常要在技术和性能、价格之间达到一个很好的平衡，硬盘从SLC、MLC、TLC、QLC……不同闪存规格一路走下来，性能强劲并不是第一选择，在价格走低，相关工艺和技术等方面成熟后，QLC很有可能会像当初TLC那样成为大势所趋。美光是最早大规模量产3D QLC闪存的厂商之一，而根据美光的最新说法，上

在2006年各出约12亿美元组建IM（Intel-Micron） Flash Technologies合资闪存工厂后，两家巨头的情谊总算是走到了尽头。美光在周四宣布，计划全资控股IM工厂。他们将向Intel支付15亿美元现金，并承担后者10亿美元（截止8月30日）的债务。美光预计用6~12个月的时间完成交易，最晚201

（原标题：重拳！美芯片巨头在华遭禁售，福州法院裁定诉中禁令立即生效，暂时禁止美光销售多款产品）文/连于慧近期牵涉多家中国企业与美国企业之间的半导体专利侵权诉讼纠葛纷扰不断，但，就在昨天，整起事件出现重大惊人进展。图丨福建晋华官方发布消息 7月3日福州中级法院裁定对美国芯片巨头美光（Micron）发出“诉中禁令”

英特尔7月29日消息，据报道，英特尔和美光科技在周二宣布，他们已开发出了一种新型存储芯片，能够大幅提升计算机、智能机以及其它类型高科技产品的性能。英特尔和美光称，他们计划在明年开始销售这种芯片。该芯片的速度最高可达到当前多数移动设备所用NAND闪存芯片的1000倍，可存储的数据容量是主流DRAM内存芯片的10倍。