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三星电子最近对其全球主要客户的半导体需求进行了调查。结果表明，各领域客户的存储库存调整已接近完成，从2024年开始，部分地区的DRAM和NAND Flash供应将出现短缺。三星启动了2024年大规模半导体需求调查，分析了全球主要客户的存储库存现状。三星特别工作组将根据调查结果决定是否继续减产，并将讨论如果继续减产的规模

8月2日消息，据路透社报道，四名知情人士透露，美国考虑限制对中国出口美国芯片制造设备。根据正在研拟的计划，美国将禁止向中国出口用于制造128层堆叠以上NAND Flash闪存芯片设备，而出口限制对象包括长江存储技术有限公司以及其他存储芯片厂商在中国大陆的工厂，如韩国存储芯片巨头三星电子和SK海力士。据悉，三星在中国有两

网易科技讯 9月2日消息 紫光集团旗下长江存储在IC China 2019前夕宣布，公司已开始量产基于Xtacking架构的64层256 Gb TLC 3D NAND闪存，以满足固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用需求。作为中国首款64层3D NAND闪存，该产品将亮相IC China 2019紫光集团展台。据官方介绍，

9月2日消息，紫光集团旗下长江存储在宣布，公司已开始量产基于Xtacking架构的64层256Gb TLC 3D NAND闪存，以满足固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用需求。作为中国首款64层3D NAND闪存，该产品将亮相IC China 2019紫光集团展台。长江存储64层3D NAND闪存是全球首款基于Xtack

中国日报报道，国家发改委价格监管部门正在考虑调查移动 NAND 产品的价格垄断。NAND 存储产品的价格在 2017 年内上涨了超过 32%，虽然上涨的趋势现阶段出现放缓，甚至可能出现过度供应。目前市场上只有四家企业供应 NAND 产品———三星、SK 海力士、镁光/英特尔和东芝/西部数据。发

腾讯科技讯 据外电报道，市场调研公司IHS Markit周四发布报告称，韩国芯片巨头今年第三季度在DRAM和NAND闪存市场继续保持着统治优势。整体而言，第三季度全球DRAM内存芯片市场的规模达到197亿美元，较前一季度增长大约35%，再创历史新高。报告显示，按照营收计算，三星电子第三季度占据了全球DRAM内存芯片市场

北京时间8月28日下午消息，三星电子今天宣布，该公司计划在未来3年 投资 70亿美元在中国西安扩大NAND存储芯片产能。 三星在监管文件中表示，这笔投资总额为70亿美元，他们已经批准了其中的23亿美元。三星7月初宣布在韩国投资186亿美元时曾经表示，该公司将在其西安NAND工厂增加一条生

三星电子凤凰科技讯 据路透社北京时间8月28日报道，三星电子在周一表示，预计将在未来三年投资70亿美元，扩大中国西安工厂的NAND闪存芯片产能。三星在一份监管文件中称，在这70亿美元预期投资中，已有23亿美元在周一获得了管理委员会的批准。三星表示，这笔投资将由位于西安的子公司三星(中国)半导体有限公司实施。“这笔投资旨

自2013年8月三星率先宣布成功推出3D NAND之后，在技术上每年都会前进一步，由24层、32层、48层，到今年的第四代64层。有消息称2017年三星将可能推出80层 3D NAND。除技术进步之外，有分析师预测在2018年中期，全球NAND闪存市场在3D堆叠技术的影响下，价格有可能低到每Gb约3美分。目前，中国正在