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闪存技术
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宏杉科技亮相2023闪存峰会,斩获“2023年度闪存创新产品技术奖”
砍柴网
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近日, 2023闪存峰会于杭州圆满举办,峰会聚焦以闪存与内存芯片为核心的存储器产业生态,重点关注存储器设计与制造、存储控制芯片、闪存存储系统、SCM存储级内存等新兴领域话题。宏杉 科技 CEO杨柳、宏杉科技副总工程师黄永出席峰会并发表专题演讲,分享宏杉科技在存储行业的深刻洞察、技术理念、创新实
泛联信息亮相FMW 2023 闪存峰会,实力斩获闪存创新产品技术奖!
砍柴网
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8月30日,在杭州萧山区举办的FMW 2023 闪存峰会圆满落下帷幕,泛联信息UbiPower 18000分布式全闪存存储凭借全新的设计理念和多项关键技术,荣获本次峰会“2023年度闪存创新产品技术奖”! 8月29日~8月30日,由DOIT 传媒 主办,以“芯存储 AI未来”为主题的FMW 2
创新驱动未来,华邦 TrustME W77Q安全闪存荣获2021年中国IoT技术创新奖
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3年前
2021年12月13日中国, 苏州讯 —— 全球半导体存储解决方案领导厂商华邦电子今日宣布,华邦 TrustME ® W77Q 安全闪存入围2021年第六届中国IoT创新奖,并荣获技术创新奖。 中国IoT创新奖由领先的电子 媒体 电子发烧友(Elecfans)
国外机构拆解长江存储128层TLC闪存芯片,认为技术已赶上业内领跑者
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3年前
长江存储宣布128层堆叠的3D NAND闪存研发成功,有X2-6070这款拥有目前业界已知最大单位面积存储密度、最高I/O传输速度以及最高单颗NAND存储芯片容量的3D QLC,以及128层堆叠的3D TLC X2-9060。在2018年的闪存峰会上,长江存储正式推出了Xtacking架构3D闪存,当时还是32层堆叠,
西部数据发布 20TB 机械硬盘:单碟 2.2 TB,OptiNAND 技术板载闪存
砍柴网
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3年前
来源:IT之家西部数据于 9 月 1 日正式发布了 20TB 容量的机械硬盘。这款产品除了传统的盘体之外,还采用了 OptiNAND 技术,在电路板上集成了 iNAND UFS 嵌入式闪存(embedded flash drive,简称 EFD),使用的是未知容量的 3D TLC UFS 闪存芯片。这项技术能够提升机械
西部数据推出全新嵌入式移动存储解决方案,以创新闪存技术赋能5G时代
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3年前
电脑之家 现在的 手机 承载了越来越多的功能,已经成为了具备多传感器的平台。 如今出门你可以不带钱包、但一定要带上手机。从手机的发展历程来看,不只是像之前2G时代简单地用于通话,做一些信息的传输;到3G时代增加了一些交互的功能,有了一些简单的 游戏 ;到了4G时代
西部数据以创新闪存技术赋能5G智能手机新体验
砍柴网
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3年前
51CTO 张诚 今天,随着智能 手机 应用与数据量的高速增长,用户对于闪存存储的性能和容量要求越来越高。芯片制程、架构和算力算法的精进也让嵌入式存储器在性能和容量上不断实现突破。近期,西部数据正式对外发布了iNAND MC EU551嵌入式闪存器件,这款专门为智能手机定制的新产品,在为用户提供
西部数据以创新闪存技术 为新一代5G智能手机用户带来全新体验
砍柴网
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3年前
第二代UFS 3.1移动存储解决方案为数据丰富的多 媒体 应用提供所需的性能和容量 2021年8月5日,北京 – 西部数据公司日前宣布推出其用于5G智能 手机 的第二代UFS 3.1存储解决方案——西部数据iNANDTM MC EU551嵌入
西部数据携手铠侠推出第六代3D闪存技术
砍柴网
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3年前
双方通过在架构扩展和CMOS布局方面的创新,联合打造出新一代更高密度、更领先的3D闪存技术。2021年2月22日,北京 – 西部数据公司(NASDAQ: WDC)日前宣布,与合作伙伴铠侠联合研发出第六代162层3D闪存技术。该技术是双方协力打造的具备更高密度、更为先进的3D闪存技术,广泛地运用了其在技术与制造
采用双堆栈技术,三星第七代V NAND闪存可达176层
雷锋网
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4年前
根据韩媒报道,三星在下一代闪存芯片的开发中取得重大进展,第七代V NAND闪存芯片将达到176层,并将于明年4月实现量产。这将是业界首个高于160层的高级别的NAND闪存芯片,三星将因此再次拉开与竞争对手的技术差距,维持自2002年以来一直在全球NAND闪存市场中排名第一的地位。图片源自flickr相比于上一代闪存,第
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