三星海力士

7 月 15 日消息，据英媒《 金融 时报》报道，三星正面临多重内部危机：除韩国全国三星电子工会领导的大规模罢工外，还有部分三星电子员工考虑转投 SK 海力士。 一位匿名的三星电子芯片工程师向英媒表示，即使三星电子更换了 DS（设备解决方案）部负责人，他也未能在企业中看到太多变化。他说：

今年3月，JEDEC发布了JES239Graphics Double Data Rate 7，即GDDR7标准，可提供两倍于GDDR6的带宽，以满足未来图形、 游戏 、计算、网络和人工智能应用对高内存带宽不断增长的需求。显然这也是为下一代显卡做好准备，传闻英伟达的GeForce RTX 50系

5 月 13 日消息，据台媒《 经济 日报》报道，SK 海力士、三星电子，将从下半年停止向市场供应 DDR3 内存，带动近期 DDR3 DRAM 价格上涨，最高涨幅达两成。 DDR3 目前已成为利基产品，在机顶盒、Wi-Fi 路由器、交换机、显示器等领域仍有应用。台媒在报道中称，三星电子

4月27日消息，为规避限制，消息称华为正在开发国产HBM存储器。消息中指出，华为正加快在中国建立高带宽内存（HBM）的国内生产能力。此举可以解决阻碍该公司在人工智能和高性能计算（HPC）领域取得进步的限制因素。据悉，华为及其供应商正推进HBM2内存技术，这对华为Ascend系列处理器的人工智能应用至关重要。 按

4月7日最新消息，韩国两大内存芯片制造巨头三星电子和SK海力士顺应全球市场需求的明显复苏趋势，纷纷宣布上调第二季度DRAM晶圆生产投入，此举预示着两家公司在经历先前减产后，正稳步回归正常生产轨道。三星电子作为全球领先的半导体制造商，在二季度显著增强了其DRAM产能。根据知名市场分析机构Omdia的数据，该公司已经将其第

3月25日消息，据 媒体 报道，英伟达最快将从9月开始大量购买12层HBM3E内存，这些内存将由三星电子独家供货。 在GTC 2024上，黄仁勋曾在三星电子的12层HBM3E实物产品上留下了"黄仁勋认证（JENSEN APPROVED）"的签名。而SK海力士因部分工程

据科技媒体ZDNET Korea报道，业界消息称，国际半导体标准组织（JEDEC）的主要参与者最近同意将HBM4产品的标准定为775微米（μm），比上一代的720微米更厚。据悉，该协议预计将对三星电子、SK海力士、美光等主要内存制造商的未来封装投资趋势产生重大影响。如果封装厚度为775微米，使用现有的键合技术就可以充分

据韩国产业部声明，韩国计划要在首尔附近建设世界上最大的半导体产业集群，到2047年将投资总计622万亿韩元，建立16座芯片工厂。三星电子将在龙仁芯片厂投资360万亿韩元，在平泽的系统和芯片厂投资120万亿韩元，在器兴的内存研发工厂投资20万亿韩元。SK海力士将在龙仁投资122万亿韩元生产内存芯片。该集群将生产HBM、P

制程或者技术不先进的，允许放行背后，必然带来的是相关产品的倾销，所以价格战必不可少。10月16日消息，美国商务部工业与安全局（BIS）公布新规，更新对三星和SK海力士的一般授权，将两家公司在华工厂纳入“经验证最终用户”（VEUs）。被纳入该清单意味着三星和SK海力士此后无需额外获得许可，即可向其在华工厂提供设备。其实在

 近日，半导体市场传出两则重磅消息：一是美国放宽对中国的出口限制，允许三星电子和SK海力士向其中国工厂提供设备；二是三星电子和SK海力士宣布对DRAM和NAND闪存芯片涨价10%-20%。这两则消息引发了市场的广泛关注，尤其是对于国内的存储芯片领军企业——长江存储来说，尤为重要。长江存储是全球第一个量产232层3D N