三星10nm工艺

雷锋网(公众号：雷锋网) 消息，在今天举行的Samsung Tech Day上，三星宣布7LPP工艺进入量产，并表示基于EUV光刻技术的7LPP工艺对比现有的10nm FinFET工艺，可以提高20%性能、降低50%功耗、提升40%面积能效。 三星电子的代工销售和营销团队执行副总裁Charlie Bae称

【环球网科技报道 记者陈健】 尽管有关“摩尔定律”就要失效，但是对于科技的追求，科技巨头们永不止步。三星宣布，日前已经完成了第二代10nm的质量验证工作，即将在年内投入量产。 三星表示，其实目前使用的高通骁龙835和Exynos 8895都是第一代10nm LPE制程工艺，而今后三星代工的处理器则将使用更

三星凤凰科技讯 北京时间3月17日消息，据国外媒体phonearena报道，三星电子宣布其10纳米（nm）FinFET工艺技术的产能正在稳步提升。与此同时，还将发力8nm和6nm工艺技术的研发。三星昨天宣布称，它正在加快生产10nm芯片。目前为止，已经将70000多颗第一代LPE（低功耗早期）硅晶片交付给客户。三星自家

 　　三星Exynos 9处理器曝光：采用三星10nm工艺。三星新旗舰手机Galaxy S8预计将在3月份正式亮相，而且其将抽发达在高通最强处理器骁龙835。不过现在，三星官方在Twitter上发文透露了下一代Exynos处理器的相关消息。三星在官方Twitter上发文：“Be Ready for#TheNextEx

骁龙835凤凰科技讯 11月17日消息，Qualcomm高通今天宣布其最新旗舰芯片将采用三星10纳米FinFET制程工艺打造。搭载这一处理器的终端产品将于明年上半年出货。高通方面表示，全新10纳米制程节点的采用，在提高骁龙835处理器性能的同时，将带来更低的功耗，同时还能增加诸多全新功能。今年10月，三星宣布率先在业界

从14nm FinFET工艺节点开始，三星似乎在追随摩尔定律的道路上已经领先了台积电和英特尔一个身为。去年年底，三星曾对外公开了其10nm晶圆的模型，而现在这一工艺已经开始量产了。据外媒报道，三星今日上午宣布其10nm制程工艺已经开始量产，而搭载该工艺芯片的产品将会在明年问世，Galaxy S8（Exynos 8895

蓝鲸 TMT 9月24日文：现在，三星在半导体工艺方面日趋成熟，14nm性能极佳(GF/AMD跟它形影不离)，离10nm也不远了，但是近来却发生一件严重的泄露机密事件。 涉嫌售卖商业机密的是三星System LSI部门的一位李姓高管，他所在的部门是是三星核心处理器架构的主要输出单位。如果这件事属实，那

三星如今在半导体工艺方面一路精进，14nm无比卓越(GF/AMD就靠它活着)，10nm也近在眼前，不过现在却发生了一件严重的泄密事件。三星高管被捕据报道，韩国警方近日逮捕了三星System LSI部门的一位李姓高管，原因是他讲该公司的半导体技术机密卖给了某中国公司，而对方是三星电子的直接竞争对手(具体是谁未公开)。

据韩国媒体最新报道，三星半导体目前已经研发出了世界上第一颗基于10nm FinFET工艺的SRAM。其实IBM半导体联盟早在今年7月就制造了世界首个10nm的晶圆，但由于10nm工艺的技术难题，各大半导体厂家都相继推迟了它们的10nm 工艺计划。所谓的SRAM中文译名是静态随机存取存储器，大多数用于CPU缓存，基于10

三星和台积电的争夺从来就没停止。4月份，台积电曾表示希望到2016年其14nm和16nm工艺能达到市场占有率最高的位置，并且高调宣布到2016年底10nm工艺芯片将投产。现在，三星也公布了其FinFET工艺路线图，正式宣布和台积电一样，将在明年底量产10nm FinFET工艺。与此同时，三星还表示，到2016年底，韩国